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安徽真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

來源: 發(fā)布時間:2021-12-31

【離子鍍膜法之直流二極型(DCIP)】: 直流二極型(DCIP):利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;被鍍基體作為陰極,利用高電壓直流輝光放電將充入的氣體氬(Ar)(也可充少量反應(yīng)氣體)離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升大、繞射性好、附著性好,膜結(jié)構(gòu)及形貌差,若用電子束加熱必須用差壓板;可用于鍍耐腐蝕潤滑機(jī)械制品。 【離子鍍膜法之多陰極型】: 多陰極型:利用電阻或電子束加熱使膜材氣化;依靠熱電子、陰極發(fā)射的電子及輝光放電使充入的真空惰性氣體或反應(yīng)氣體離化。這種方法的特點(diǎn)是:基板溫升小,有時需要對基板加熱;可用于鍍精密機(jī)械制品、電子器件裝飾品。 真空鍍膜設(shè)備真空四個階段。安徽真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

【真空鍍膜產(chǎn)品常見不良分析及改善對策之膜外色斑】: 色斑(也稱膜色亞克、燒蝕)是指鏡片上的膜色局部變異。有膜內(nèi)色斑和膜外色斑二種。 膜外色斑改善對策: 1. 對減反膜,設(shè)計條件許可時,外層加以SiO2層,10nm左右即可(一般的外層膜是MgF2)。使外層趨于光滑、致密、減少有害物質(zhì)的侵蝕。 2. 適當(dāng)降低蒸鍍速率(在一定范圍內(nèi)),提高膜層光滑度,減少吸附。 3. 鏡片在出罩后,待冷卻后再下傘和擦拭。 4. 鏡片在出罩后,放置在潔凈干燥的場合待冷卻。減少污染可能。 5. 用碳酸鈣粉,輕擦去除外層附著物。 6. 改善工作環(huán)境的濕度、溫差 7. 改善充氣口附近的環(huán)境,使充入的大氣干燥、潔凈。 8. 工作人員的個人衛(wèi)生改善 9. 檢討真空室返油狀況,防止返油。 10. 適當(dāng)降低基片溫度。 11. 改善膜系,取消太薄的膜層,根據(jù)硝材特性,選擇合適的膜層材料。 山東領(lǐng)跑真空鍍膜設(shè)備領(lǐng)域真空鍍膜設(shè)備主要用途?

【光譜分光不良的補(bǔ)救(補(bǔ)色)之機(jī)器故障和人為中斷】: 分光不良分為二種情況:一是全部膜系鍍制完成后,經(jīng)測試分光不良,此類不良主要按六節(jié)所述方法處理,一般減反膜難以補(bǔ)救。但對于高反膜、帶通濾光膜等可以通過加層的方法補(bǔ)救。二是鍍制中途中斷(包括發(fā)現(xiàn)錯誤中斷)造成的分光不良,一般都可以通過后續(xù)努力補(bǔ)救。后續(xù)方法正確,補(bǔ)救成功率比較高。 中斷的原因形式之機(jī)器故障和人為中斷: 模擬:根據(jù)已經(jīng)實(shí)鍍的鏡片(測試比較片)實(shí)測分光數(shù)據(jù)輸入計算機(jī)膜系設(shè)計程序的優(yōu)化目標(biāo)值,再根據(jù)已經(jīng)掌握的膜系信息輸入,采用倒推法逐層優(yōu)化,模擬出實(shí)際鍍制的膜系數(shù)據(jù)。 *測試比較片是指隨鏡片一起鍍制(在傘片上、與鏡片同折射率),用于測試鍍后分光曲線的平片。 優(yōu)化:再鎖定通過模擬得到的膜系數(shù)據(jù),通過后續(xù)層膜厚優(yōu)化找到實(shí)現(xiàn)目標(biāo)的Zui佳方案。 試鍍:根據(jù)新優(yōu)化的后續(xù)膜層數(shù)據(jù),試鍍?nèi)舾社R片或測試片,確認(rèn)補(bǔ)色膜系的可行性。 補(bǔ)色鍍:對試鍍情況確認(rèn)后實(shí)施補(bǔ)色鍍。補(bǔ)色鍍前,確認(rèn)基片是否潔凈,防止產(chǎn)生其他不良。

【真空鍍膜磁控濺射法】: 濺射鍍膜Zui初出現(xiàn)的是簡單的直流二極濺射,它的優(yōu)點(diǎn)是裝置簡單,但是直流二極濺射沉積速率低;為了保持自持放電,不能在低氣壓(<0.1 Pa)下進(jìn)行;不能濺射絕緣材料等缺點(diǎn)限制了其應(yīng)用。 磁控濺射是由二極濺射基礎(chǔ)上發(fā)展而來,在靶材表面建立與電場正交磁場,解決了二極濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問題,成為目前鍍膜工業(yè)主要方法之一。磁控濺射與其它鍍膜技術(shù)相比具有如下特點(diǎn):可制備成靶的材料廣,幾乎所有金屬,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在適當(dāng)條件下多元靶材共濺射方式,可沉積配比精確恒定的合金;在濺射的放電氣氛中加入氧、氮或其它活性氣體,可沉積形成靶材物質(zhì)與氣體分子的化合物薄膜;通過精確地控制濺射鍍膜過程,容易獲得均勻的高精度的膜厚;通過離子濺射靶材料物質(zhì)由固態(tài)直接轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子態(tài),濺射靶的安裝不受限制,適合于大容積鍍膜室多靶布置設(shè)計;濺射鍍膜速度快,膜層致密,附著性好等特點(diǎn),很適合于大批量,高效率工業(yè)生產(chǎn)。近年來磁控濺射技術(shù)發(fā)展很快,具有代表性的方法有射頻濺射、反應(yīng)磁控濺射、非平衡磁控濺射、脈沖磁控濺射、高速濺射等。 真空鍍膜設(shè)備國內(nèi)有哪些產(chǎn)商?

【真空鍍膜機(jī)概述】: 真空鍍膜機(jī)主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空電阻加熱蒸發(fā),電子搶加熱蒸發(fā),磁控濺射,MBE分子束外延,PLD激光濺射沉積,離子束濺射等很多種。主要思路是分成蒸發(fā)和濺射兩種。 真空鍍膜機(jī)構(gòu)造的五大系統(tǒng):排氣系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、蒸鍍系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)、輔助系統(tǒng)。 真空鍍膜三要素:真空度、抽氣時間、溫度;任何鍍膜工藝都需要為這三個要素設(shè)定目標(biāo)值;因此,只有當(dāng)三個條件同時滿足時,自動化程序才會自動運(yùn)行。 真空鍍膜機(jī)需要做定期定期保養(yǎng),目的在于:讓鍍膜機(jī)能長時間地正常運(yùn)轉(zhuǎn);降低故障時間,避免影響產(chǎn)能,減少損失;提高機(jī)器精度,穩(wěn)定品質(zhì);加快抽氣速度,提升機(jī)器利用率等。真空鍍膜設(shè)備廠家排名。陜西真空鍍膜設(shè)備市場

光學(xué)真空鍍膜設(shè)備制造商。安徽真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

【離子鍍的歷史】: 真空離子鍍膜技術(shù)是近幾十年才發(fā)展起來的一種新的鍍膜技術(shù)。在離子鍍技術(shù)興起的40多年來取得了巨大的進(jìn)步,我國也有將近30多年的離子鍍研究進(jìn)程。 【離子鍍的原理】: 蒸發(fā)物質(zhì)的分子被電子撞擊后沉積在固體表面稱為離子鍍。蒸發(fā)源接陽極,工件接陰極,當(dāng)通以三至五千伏高壓直流電以后,蒸發(fā)源與工件之間產(chǎn)生輝光放電。由于 真空罩內(nèi)充有惰性氬氣,在放電電場作用下部分氬氣被電離,從而在陰極工件周圍形成一等離子暗區(qū)。帶正電荷的氬離子受陰極負(fù)高壓的吸引,猛烈地轟擊工件表 面,致使工件表層粒子和臟物被轟濺拋出,從而使工件待鍍表面得到了充分的離子轟擊清洗。隨后,接通蒸發(fā)源交流電源,蒸發(fā)料粒子熔化蒸發(fā),進(jìn)入輝光放電區(qū)并 被電離。帶正電荷的蒸發(fā)料離子,在陰極吸引下,隨同氬離子一同沖向工件,當(dāng)拋鍍于工件表面上的蒸發(fā)料離子超過濺失離子的數(shù)量時,則逐漸堆積形成一層牢固粘 附于工件表面的鍍層。 【離子鍍的優(yōu)缺點(diǎn)】: 優(yōu)點(diǎn):膜層附著力好,膜層致密,具有繞度性能,能在形狀復(fù)雜的零件表面鍍膜。 缺點(diǎn):離子鍍的應(yīng)用范圍不廣;膜與基體間存在較寬的過渡界面。會有氣體分子吸附。安徽真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件

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