【近些年來(lái)出現(xiàn)的新的鍍膜方法】： 除蒸發(fā)法和濺射法外，人們又綜合了這兩種方法的優(yōu)缺點(diǎn)，取長(zhǎng)補(bǔ)短，發(fā)展出一些新的方法，如：等離子體束濺射等。這種嶄新的技術(shù)結(jié)合了蒸發(fā)鍍的高效和濺射鍍的高性能特點(diǎn)，特別在多元合金以及磁性薄膜的制備方面，具有其它手段無(wú)可比擬的優(yōu)點(diǎn)。高效率等離子體濺射(High Target Utilization Plasma Sputtering(HiTUS))實(shí)際上是由利用射頻功率產(chǎn)生的等離子體聚束線圈、偏壓電源組成的一個(gè)濺射鍍膜系統(tǒng)。這種離子體源裝置在真空室的側(cè)面。如圖1所示。圖2為實(shí)際的鍍膜機(jī)照片。該等離子體束在電磁場(chǎng)的作用下被引導(dǎo)到靶上，在靶的表面形成高密度等離子體。同時(shí)靶連接有DC/RF偏壓電源，從而實(shí)現(xiàn)高效可控的等離子體濺射。等離子體發(fā)生裝置與真空室的分離設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)濺射工藝參數(shù)寬范圍可控的關(guān)鍵，而這種廣闊的可控性使得特定的應(yīng)用能確定工藝參數(shù)Zui優(yōu)化。 與通常的磁控濺射相比，由于磁控靶磁場(chǎng)的存在而在靶材表面形成刻蝕環(huán)不同，HiTUS系統(tǒng)由于取消了靶材背面的磁鐵，從而能對(duì)靶的材料實(shí)現(xiàn)全mian積均勻。 真空鍍膜設(shè)備培訓(xùn)資料。河北真空鍍膜設(shè)備自動(dòng)控制系統(tǒng)

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜內(nèi)白霧】： 白霧形成在膜內(nèi)，無(wú)法用擦拭方法去除。 可能成因： 1. 基片臟 2. 鏡片表面腐蝕污染 3. 膜料與膜料之間、膜料與基片之間的匹配 4. 氧化物充氧不夠 5. 第yi層氧化鋯膜料，可能對(duì)某些基片產(chǎn)生白暈現(xiàn)象 6. 基片進(jìn)罩前（洗凈后）受潮氣污染 7. 洗凈或擦拭不良，洗凈痕跡，擦拭痕跡 8. 真空室臟、水汽過(guò)重 9. 環(huán)境濕度大 改善對(duì)策：基片本身的問(wèn)題可能時(shí)主要的鍍膜室盡量彌補(bǔ)，鍍膜本身Zui大的可能室膜料匹配問(wèn)題。 1. 改進(jìn)膜系，第yi層不用氧化鋯 2. 盡量減少真空室開(kāi)門(mén)時(shí)間 3. 真空室在更換護(hù)板、清潔后，Zui好能空罩抽真空烘烤一下，更換的護(hù)板等真空室部件必須干燥、干凈 4. 改善環(huán)境 5. 妥善保護(hù)進(jìn)罩前在傘片上的鏡片，免受污染 6. 改善洗凈、擦拭效果 7. 改善膜匹配（考慮第yi層用Al2O3） 8. 改善膜充氧和蒸發(fā)速率（降低） 9. 加快前工程的流程。前工程對(duì)已加工光面的保護(hù)加強(qiáng)。 10. 拋光加工完成的光面，必須立即清潔干凈，不能有拋光粉或其他雜質(zhì)附著干結(jié)。 云南臥式真空鍍膜設(shè)備真空鍍膜設(shè)備常見(jiàn)故障及解決方法。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜色差異】： 膜色差異有兩種（不含色斑），一種時(shí)整罩上、中、下膜色不一致，即分光測(cè)試曲線有差異；二是單片膜色不一致。 改善對(duì)策： 1. 調(diào)整修正版，盡量考慮高低折射率膜料的平衡兼容，如果有兩個(gè)蒸發(fā)源，可能的條件下，獨(dú)li使用各自的修正板，避免干擾。 2. 條件許可，采用行星夾具。 3. 傘片整形。 4. 加強(qiáng)傘片管理。 5. 改善膜料狀況 6. 能夠自動(dòng)預(yù)熔的膜料，盡量自動(dòng)預(yù)熔 注：修正板對(duì)物理膜厚的修正有效，但對(duì)折射率的修正是力不從心的，所以完全靠修正板解決分光均勻性，是很困難的。如果一個(gè)修正板對(duì)應(yīng)二把電子搶（蒸發(fā)源）、以及多種膜料，就會(huì)有較大困難。

【真空鍍膜反應(yīng)磁控濺射法】： 制備化合物薄膜可以用各種化學(xué)氣相沉積或物理qi相沉積方法。但目前從工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)的要求來(lái)看，物理qi相沉積中的反應(yīng)磁控濺射沉積技術(shù)具有明顯的優(yōu)勢(shì)，因而被guang泛應(yīng)用，這是因?yàn)椋?1、反應(yīng)磁控濺射所用的靶材料(單元素靶或多元素靶)和反應(yīng)氣體(氧、氮、碳?xì)浠衔锏?通常很容易獲得很高的純度，因而有利于制備高純度的化合物薄膜。 2、反應(yīng)磁控濺射中調(diào)節(jié)沉積工藝參數(shù)，可以制備化學(xué)配比或非化學(xué)配比的化合物薄膜，從而達(dá)到通過(guò)調(diào)節(jié)薄膜的組成來(lái)調(diào)控薄膜特性的目的。 3、反應(yīng)磁控濺射沉積過(guò)程中基板溫度一般不會(huì)有很大的升高，而且成膜過(guò)程通常也并不要求對(duì)基板進(jìn)行很高溫度的加熱，因此對(duì)基板材料的限制較少。 4、反應(yīng)磁控濺射適于制備大面積均勻薄膜，并能實(shí)現(xiàn)單機(jī)年產(chǎn)上百萬(wàn)平方米鍍膜的工業(yè)化生產(chǎn)。但是反應(yīng)磁控濺射在20世紀(jì)90年代之前，通常使用直流濺射電源，因此帶來(lái) 了一些問(wèn)題，主要是靶中毒引起的打火和濺射過(guò)程不穩(wěn)定，沉積速率較低，膜的缺陷密度較高，這些都限制了它的應(yīng)用發(fā)展。 真空鍍膜設(shè)備的工作原理和構(gòu)成。

【真空鍍膜產(chǎn)品常見(jiàn)不良分析及改善對(duì)策之膜料點(diǎn)】： 膜料點(diǎn)不良也是鍍膜產(chǎn)品的一個(gè)常見(jiàn)問(wèn)題，在日企、臺(tái)企把膜料點(diǎn)稱為“斑孔”。顧名思義，膜料點(diǎn)就是蒸鍍中，大顆粒膜料點(diǎn)隨著膜料蒸汽分子一起蒸鍍到了基片的表面。在基片表面形成點(diǎn)狀的突起，有時(shí)是個(gè)別點(diǎn)，嚴(yán)重時(shí)時(shí)成片的細(xì)點(diǎn)，大顆粒點(diǎn)甚至打傷基片表面。 改善對(duì)策： 1. 選擇雜質(zhì)少的膜料 2. 對(duì)易飛濺的膜料選擇顆粒合適的膜料 3. 膜料在鍍前用網(wǎng)篩篩一下 4. 精心預(yù)熔 5. 用一把電子搶鍍制幾種膜料時(shí)，防止坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)中膜料參雜及擋板掉下膜料渣造成膜料污染。 6. 盡Zui大可能使用蒸發(fā)舟、坩堝干凈。 7. 選擇合適的蒸發(fā)速率及速率曲線的平滑。 8. 膜料去潮，將待用膜料用培養(yǎng)皿盛放在真空室干燥。 真空鍍膜設(shè)備詳細(xì)鍍膜方法。江西耐爾亮真空鍍膜設(shè)備

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【真空鍍膜真空蒸發(fā)鍍膜原理】: 真空蒸發(fā)法的原理是：在真空條件下，用蒸發(fā)源加熱蒸發(fā)材料，使之蒸發(fā)或升華進(jìn)入氣相，氣相粒子流直接射向基片上沉積或結(jié)晶形成固態(tài)薄膜；由于環(huán)境是真空，因此，無(wú)論是金屬還是非金屬，在這種情況下蒸發(fā)要比常壓下容易得多。真空蒸發(fā)鍍膜是發(fā)展較早的鍍膜技術(shù)，其特點(diǎn)是：設(shè)備相對(duì)簡(jiǎn)單，沉積速率快，膜層純度高，制膜材料及被鍍件材料范圍很廣，鍍膜過(guò)程可以實(shí)現(xiàn)連續(xù)化，應(yīng)用相當(dāng)guang泛。按蒸發(fā)源的不同，主要分為：電阻加熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)、電弧蒸發(fā)和激光蒸發(fā)等。 河北真空鍍膜設(shè)備自動(dòng)控制系統(tǒng)

成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司是一家一般項(xiàng)目：泵及真空設(shè)備制造‘泵及真空設(shè)備銷售；機(jī)械設(shè)備銷售；機(jī)械零件、零部件銷售；光學(xué)儀器銷售；光學(xué)玻璃銷售；功能玻璃和新型光學(xué)材料銷售；電子元器件批發(fā)；技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開(kāi)發(fā)、技術(shù)咨詢、技術(shù)交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)推廣。的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。公司自創(chuàng)立以來(lái)，投身于光學(xué)鍍膜設(shè)備，真空鍍膜設(shè)備，光學(xué)真空鍍膜機(jī)，紅外鍍膜設(shè)備，是機(jī)械及行業(yè)設(shè)備的主力軍。國(guó)泰真空致力于把技術(shù)上的創(chuàng)新展現(xiàn)成對(duì)用戶產(chǎn)品上的貼心，為用戶帶來(lái)良好體驗(yàn)。國(guó)泰真空創(chuàng)始人盧成，始終關(guān)注客戶，創(chuàng)新科技，竭誠(chéng)為客戶提供良好的服務(wù)。