陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓??煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加有一定電壓時,可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等??煽毓璧姆诸愐弧搓P(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類:可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅(GTO)、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。二、按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時具備兩個條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓。湖北哪里有可控硅模塊哪家好
其中第二、第三層為兩管交迭共用。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個正向電壓Ea,又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG1的基一射間)輸入一個正的觸發(fā)信號,BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,經(jīng)放大,BG1將有一個放大了β1倍的集電極電流IC1。因為BG1集電極與BG2基極相連,IC1又是BG2的基極電流Ib2。BG2又把比Ib2(Ib1)放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,對可控硅來說,觸發(fā)信號加入控制極,可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時間主要決定于可控硅的性能。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,由于循環(huán)反饋的原因,流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib1)這一電流遠大于Ib1,足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時觸發(fā)信號即使消失,可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea,使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時,可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,如果Ea極性反接,BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時,即使輸入觸發(fā)信號,可控硅也不能工作。反過來,Ea接成正向,而觸動發(fā)信號是負的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時。湖北哪里有可控硅模塊哪家好可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。
可控硅又稱晶閘管(晶體閘流管),是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件,其主要的功能是功率控制??煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓琛㈦p向可控硅、可關(guān)斷可控硅等。可控硅的特點是具有可控的單向?qū)щ娦?,以小電流控制大電流,以低電壓控制高電壓。可控硅可以用萬用表進行檢測。一、檢測單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),形成3個PN結(jié),具有3個外電極:陽極A、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示。檢測時,萬用表置于“Rx10Ω”檔,黑表筆(表內(nèi)電池正極)接單向可控硅的控制極G,紅表筆(表內(nèi)電池負極)接單向可控硅的陰極K,這時測量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。如下圖所示。對調(diào)兩表筆后,測其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。萬用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,紅表筆改接單向可控硅的陽極A,阻值應(yīng)為無窮大,如下圖所示。對調(diào)兩表筆后,再測,阻值仍應(yīng)為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結(jié)反向串聯(lián),正常情況下其正、反向阻值均為無窮大。二、檢測單向晶閘管導(dǎo)通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接單向可控硅陽極A,紅表筆接單向可控硅陰極K,表針應(yīng)指示為無窮大。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽極A短接一下(短接后馬上斷開)。
若測得元件陰陽極正反向已短路,或陽極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說明元件已損壞??煽毓韫ぷ髟硎鞘裁?(圖)可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管,當(dāng)控制極加一定的電壓時,陰極和陽極就導(dǎo)通了??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,都是三個電極。單向可控硅有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅等效于兩只單項可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,其引出端稱T2極,其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,其引出端稱T2極,剩下則為控制極(G)。1、單、雙向可控硅的判別:先任測兩個極,若正、反測指針均不動(R×1擋),可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)也可能是T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,黑筆接的為G極,剩下即為A極。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,其中必有一次阻值稍大,則稍大的一次紅筆接的為G極,黑筆所接為T1極,余下是T2極。2、性能的差別:將旋鈕撥至R×1擋,對于1~6A單向可控硅,紅筆接K極,黑筆同時接通G、A極。按封裝形式分類:可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。
這個電路的方法是利用RC回路控制觸發(fā)信號的相位。當(dāng)R值較少時,RC時間常數(shù)較少,觸發(fā)信號的相移A1較少,因此負載獲得較大的電功率;當(dāng)R值較大時,RC時間常數(shù)較大,觸發(fā)信號的相移A2較大,因此負載獲得較少的電功率。這個典型的電功率無級調(diào)整電路在日常生活中有很多電氣產(chǎn)品中都應(yīng)用它。可控硅主要參數(shù)有:1、額定通態(tài)平均電流在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、正向阻斷峰值電壓在控制極開路未加觸發(fā)信號,陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。3、反向陰斷峰值電壓當(dāng)可控硅加反向電壓,處于反向關(guān)斷狀態(tài)時,可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時,不能超過手冊給出的這個參數(shù)值。4、控制極觸發(fā)電流在規(guī)定的環(huán)境溫度下,陽極---陰極間加一定電壓,使可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5、維持電流在規(guī)定溫度下,控制極斷路,維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進行控制具有:電壓調(diào)節(jié)速度快,精度高,可分時段實時調(diào)整,有穩(wěn)壓作用,采用電子元件。別可控硅三個極的方法很簡單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬用表測量一下三個極之間的電阻值就可以。湖北哪里有可控硅模塊哪家好
在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過陰極和陽極的電流平均值。湖北哪里有可控硅模塊哪家好
改變負載上脈沖直流電壓的平均值UL,實現(xiàn)了可控整流。1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等??煽毓梃b別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多。可控硅有三個電極---陽極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個PN結(jié)??煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時,只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅??煽毓桦妷簻y方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來簡單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。湖北哪里有可控硅模塊哪家好
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