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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-09-05

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷;實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變;將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等??煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。目前可控硅在自動(dòng)控制、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用。可控硅從外形上區(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種。螺旋式應(yīng)用較多。可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極(A)、陰極(C)和控制極(G),管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié),與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引入,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)??煽毓钁?yīng)用時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。按關(guān)斷速度分類:可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻(快速)可控硅。上海哪里有可控硅模塊現(xiàn)貨

可控硅模塊

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋F渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。吉林進(jìn)口可控硅模塊價(jià)格優(yōu)惠這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。

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表針應(yīng)向右偏并保持在十幾歐姆位置,如下圖所示,否則說(shuō)明單向可控硅已損壞。三、檢測(cè)雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件。雙向可控硅的3個(gè)引腳分別是控制極G,主電極T1和主電極T2,如下圖所示。由于雙向可控硅的兩個(gè)主電極是對(duì)稱的,因此使用中可以任意互換。檢測(cè)時(shí),萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,先用兩表筆測(cè)量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正、反向電阻,均應(yīng)為較小阻值。如下圖所示。再用萬(wàn)用表兩表筆測(cè)量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正、反向電阻,均應(yīng)為無(wú)窮大,如下圖所示。四、檢測(cè)雙向可控硅的導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接雙向可控硅主電極T1,紅表筆接主電極T2,表針指示應(yīng)為無(wú)窮大,這是將控制極G與主電極T2短接一下,表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆位置,如下圖所示。否則說(shuō)明該雙向可控硅已壞。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn):體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)??煽毓枘K的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流,還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的轉(zhuǎn)變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,根據(jù)P-N結(jié)的原理,只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。

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可控硅觸發(fā)器/板是驅(qū)動(dòng)晶閘管的移相型電力控制器,其部件采用高性能、高可靠性的單片機(jī)。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱性及穩(wěn)定性,且不隨環(huán)境溫度變化,使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱度及限位進(jìn)行調(diào)整?,F(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。接線簡(jiǎn)單,操作方便,可接受信:,手動(dòng)電位器10K,自帶限幅可調(diào)電位器,軟起時(shí)間可設(shè)定,功能多樣化。一般分為單相可控硅觸發(fā)板,三相可控硅觸發(fā)板。雙向可控硅觸發(fā)板等,輔助功能有:常用的開(kāi)環(huán)觸發(fā)板比較多,有閉環(huán)的,含恒流,恒壓,限壓,限流,軟起動(dòng),限幅等。觸發(fā)類型上分:光電隔離型觸發(fā)板,脈沖變壓型觸發(fā)板,變壓器隔離型觸發(fā)板,還有模擬觸發(fā)電路型等。它可的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié),適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等。*以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。*鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。*整流變壓器、調(diào)功機(jī)(純電感線圈)、電爐變壓器一次側(cè)、升磁/退磁調(diào)節(jié)、直流電機(jī)控制。*電壓、電流、功率、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無(wú)級(jí)平滑調(diào)節(jié)。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。吉林進(jìn)口可控硅模塊價(jià)格優(yōu)惠

硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化。上海哪里有可控硅模塊現(xiàn)貨

改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。1:小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流:IA小于2A。2:大;功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3:大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中;高頻熔煉爐等。可控硅鑒別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,螺旋式的應(yīng)用較多??煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極(A)陰極(C)和控制極(G)。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),共有三個(gè)PN結(jié)??煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同??煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),只要在控制極加上很小的電流或電壓,就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。可控硅電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢?下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,可以把從陰極向上數(shù)的第1、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,而二、三四層組成另一只PNP型晶體管。上海哪里有可控硅模塊現(xiàn)貨