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來源: 發(fā)布時間:2024-09-25

而單向可控硅經觸發(fā)后只能從其中陽極向陰極單方行為向導通,所以采用可控硅有單雙向關系之分。電子生產中常用的SCR,單向MCR-100,雙向TLC336等雙向可控硅按象限來分,又分為四象三端雙向可控硅、三象限雙向可控硅;按包裝:一般分為半塑料包裝、外絕緣全塑料包裝;按觸發(fā)電流來分:分為微觸型、高靈敏度型、標準觸發(fā)型;按電壓分:常規(guī)工作電壓進行品種、高壓品種??煽毓璁a品由于它在電路應用中的效率高、控制特性好、壽命長、體積小、功能強等優(yōu)點,自上個世紀六十長代以來,獲得了迅猛發(fā)展,并已形成了一門單獨的學科?!熬чl管交流技術”??煽毓璋l(fā)展到,在工藝上已經非常成熟,質量更好,收率有了很大的提高,并向高壓大電流發(fā)展??煽毓柙趹秒娐分械淖饔皿w現(xiàn)在:可控整流:如同二極管整流一樣,將交流整流為直流,并且在交流電壓不變的情況下,有效地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,實現(xiàn)交流→可變直流之轉變;無觸點功率靜態(tài)開關(固態(tài)開關):作為功率開關元件,可控硅可以代替接觸器、繼電器用于開關頻率很高的場合。因此可控硅元件被廣應用于各種電子設備和電子產品的電路中,多作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等用途。因為它可以像閘門一樣控制電流,所以稱之為“晶體閘流管”。貴州國產晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

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定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。晶閘管(Thyristor)是一種開關元件,能在高電壓、大電流條件下工作,并且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中,是典型的小電流控制大電流的設備。1957年,美國通用電器公司開發(fā)出世界上***個晶閘管產品,并于1958年使其商業(yè)化。結構/晶閘管編輯晶閘管它是由一個P-N-P-N四層(4layers)半導體構成的,中間形成了三個PN結。分類/晶閘管編輯晶閘管按其關斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管(SCR)、雙向晶閘管(TRIAC)、逆導晶閘管(RCT)、門極關斷晶閘管(GTO)、BTG晶閘管、溫控晶閘管(TT國外,TTS國內)和光控晶閘管(LTT)等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種。四川晶閘管模塊咨詢報價晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路。

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晶閘管陽極與陰極間表現(xiàn)出很大的電阻,處于截止狀態(tài)(稱為正向阻斷狀態(tài)),簡稱斷態(tài)。當陽極電壓上升到某一數值時,晶閘管突然由阻斷狀態(tài)轉化為導通狀態(tài),簡稱通態(tài)。陽極這時的電壓稱為斷態(tài)不重復峰值電壓(UDSM),或稱正向轉折電壓(UBO)。導通后,元件中流過較大的電流,其值主要由限流電阻(使用時由負載)決定。在減小陽極電源電壓或增加負載電阻時,陽極電流隨之減小,當陽極電流小于維持電流IH時,晶閘管便從導通狀態(tài)轉化為阻斷狀態(tài)。由圖可看出,當晶閘管控制極流過正向電流Ig時,晶閘管的正向轉折電壓降低,Ig越大,轉折電壓越小,當Ig足夠大時,晶閘管正向轉折電壓很小,一加上正向陽極電壓,晶閘管就導通。實際規(guī)定,當晶閘管元件陽極與陰極之間加上6V直流電壓時,能使元件導通的控制極**小電流(電壓)稱為觸發(fā)電流(電壓)。在晶閘管陽極與陰極間加上反向電壓時,開始晶閘管處于反向阻斷狀態(tài),只有很小的反向漏電流流過。當反向電壓增大到某一數值時,反向漏電流急劇增大,這時,所對應的電壓稱為反向不重復峰值電壓(URSM),或稱反向轉折(擊穿)電壓(UBR)??梢?,晶閘管的反向伏安特性與二極管反向特性類似。晶閘管晶閘管的開通和關斷的動態(tài)過程的物理過程較為復雜。

5、其它要求(1)當模塊控制變壓器負載時,如果變壓器空載,輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流,導致回路中產生較大直流分量,嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現(xiàn)上述情況,可在模塊輸出端接一固定電阻,一般每相輸出電流不小于500mA(具體數據可根據試驗情況確定)。(2)小規(guī)格模塊主電極無螺釘緊固,極易掀起折斷,接線時應注意避免外力或電纜重力將電極拉起折斷。(3)嚴禁將電纜銅線直接壓接在模塊電極上,以防止接觸不良產生附加發(fā)熱。(4)模塊不能當作隔離開關使用。為保證安全,模塊輸入端前面需加空氣開關。(5)測量模塊工作殼溫時,測試點選擇靠近模塊底板中心的散熱器表面。可將散熱器表面以下橫向打一深孔至散熱器中心,把熱電偶探頭插到孔底。要求該測試點的溫度應≤80℃。晶閘管智能模塊晶閘管智能模塊模塊參數編輯a)工作頻率f為50Hz;b)模塊輸入交流電壓VIN(RMS)范圍:額定電壓為220VAC時為170~250VAC、額定電壓為380VAC時為300~450VAC(輸入電壓低于或高于上述各規(guī)定值時,應專門定做);c)三相交流輸出電壓不對稱度<6%;d)控制電源電壓12VDC;e)控制信號:VCON為0~10VDC;f)控制信號電流ICON≤1mA;g)輸出電壓溫度系數<。正向比較大阻斷電壓,是指門極開路時,允許加在陽極、陰極之間的比較大正向電壓。

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晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍。2、導通角要求模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值,但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此,要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±;紋波電壓≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關電源外殼應帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài)。四川晶閘管模塊咨詢報價

大功率晶閘管多采用金屬殼封裝,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或陶瓷封裝。貴州國產晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨

當主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關斷。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件,它有J1、J2、J3三個PN結圖1,可以把它中間的NP分成兩部分,構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管,圖2晶閘管當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導通,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門極電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應為Ia和Ik;電流放大系數相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應的電流放大系數a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小。貴州國產晶閘管模塊廠家現(xiàn)貨