流過(guò)IGBT的電流值超過(guò)短路動(dòng)作電流,則立刻發(fā)生短路保護(hù),***門極驅(qū)動(dòng)電路,輸出故障信號(hào)。跟過(guò)流保護(hù)一樣,為避免發(fā)生過(guò)大的di/dt,大多數(shù)IPM采用兩級(jí)關(guān)斷模式。為縮短過(guò)流保護(hù)的電流檢測(cè)和故障動(dòng)作間的響應(yīng)時(shí)間,IPM內(nèi)部使用實(shí)時(shí)電流控制電路(RTC),使響應(yīng)時(shí)間小于100ns,從而有效抑制了電流和功率峰值,提高了保護(hù)效果。當(dāng)IPM發(fā)生UV、OC、OT、SC中任一故障時(shí),其故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間tFO為1.8ms(SC持續(xù)時(shí)間會(huì)長(zhǎng)一些),此時(shí)間內(nèi)IPM會(huì)***門極驅(qū)動(dòng),關(guān)斷IPM;故障輸出信號(hào)持續(xù)時(shí)間結(jié)束后,IPM內(nèi)部自動(dòng)復(fù)位,門極驅(qū)動(dòng)通道開(kāi)放??梢钥闯?,器件自身產(chǎn)生的故障信號(hào)是非保持性的,如果tFO結(jié)束后故障源仍舊沒(méi)有排除,IPM就會(huì)重復(fù)自動(dòng)保護(hù)的過(guò)程,反復(fù)動(dòng)作。過(guò)流、短路、過(guò)熱保護(hù)動(dòng)作都是非常惡劣的運(yùn)行狀況,應(yīng)避免其反復(fù)動(dòng)作,因此*靠IPM內(nèi)部保護(hù)電路還不能完全實(shí)現(xiàn)器件的自我保護(hù)。要使系統(tǒng)真正安全、可靠運(yùn)行,需要輔助的**保護(hù)電路。智能功率模塊電路設(shè)計(jì)編輯驅(qū)動(dòng)電路是IPM主電路和控制電路之間的接口,良好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)對(duì)裝置的運(yùn)行效率、可靠性和安全性都有重要意義。IGBT的分立驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)IGBT的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題亦即MOSFET的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)問(wèn)題。 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱TRIAC。河北質(zhì)量IGBT模塊品牌
下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實(shí)施方式的平面示意圖。具體實(shí)施方式下面結(jié)合附圖所示的各實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但應(yīng)當(dāng)說(shuō)明的是,這些實(shí)施方式并非對(duì)本發(fā)明的限制,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)這些實(shí)施方式所作的功能、方法、或者結(jié)構(gòu)上的等效變換或替代,均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。如圖1所示,本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括:外殼1、蓋板2、銅底板3、形成于所述蓋板2上的***接頭4、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元。其中,任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接,并在晶閘管單元的控制下對(duì)所在電路進(jìn)行投切控制。所述***晶閘管單元包括:***壓塊7、***門極壓接式組件8、***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11。其中,所述***壓塊7設(shè)置于所述***門極壓接式組件8上,并通過(guò)所述***門極壓接式組件8對(duì)所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11施加壓合作用力,所述***導(dǎo)電片9、第二導(dǎo)電片10、瓷板11依次設(shè)置于所述銅底板3上。 河北質(zhì)量IGBT模塊品牌由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極,以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件。特性是正向?qū)妷旱?,反向恢?fù)時(shí)間小,正向整流大,應(yīng)用在低壓大電流輸出場(chǎng)合做高頻整流。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊,100V肖特基二極管模塊,150V肖特基二極管模塊,200V肖特基二極模塊等。3、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)ǎ聪蚪刂沟脑恚瑢⒔涣麟娔苻D(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件。特性是耐高壓,功率大,整流電流較大,工作頻率較低,主要用于各種低頻半波整流電路,或連成整流橋做全波整流。整流管模塊一般是400-3000V的電壓。4、光伏防反二極管模塊防反二極管也叫做防反充二極管,就是防止方陣電流反沖。在光伏匯流箱中選擇光伏防反二極管時(shí),由于受到匯流箱IP65等級(jí)的限制,一般選擇模塊式的會(huì)更簡(jiǎn)便。選擇防反二極管模塊的主要條件為壓降低、熱阻小、熱循環(huán)能力強(qiáng)。目前,市場(chǎng)上有光伏**防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇。兩種模塊的區(qū)別在于:①光伏**防反二極管模塊具有壓降低(通態(tài)壓降),而普通二極管模塊通態(tài)壓降達(dá)到。壓降越低,模塊的功耗越小,散發(fā)的熱量相應(yīng)也減小。
設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意以下幾點(diǎn):①IGBT柵極耐壓一般在±20V左右,因此驅(qū)動(dòng)電路輸出端要給柵極加電壓保護(hù),通常的做法是在柵極并聯(lián)穩(wěn)壓二極管或者電阻。前者的缺陷是將增加等效輸入電容Cin,從而影響開(kāi)關(guān)速度,后者的缺陷是將減小輸入阻抗,增大驅(qū)動(dòng)電流,使用時(shí)應(yīng)根據(jù)需要取舍。②盡管IGBT所需驅(qū)動(dòng)功率很小,但由于MOSFET存在輸入電容Cin,開(kāi)關(guān)過(guò)程中需要對(duì)電容充放電,因此驅(qū)動(dòng)電路的輸出電流應(yīng)足夠大,這一點(diǎn)設(shè)計(jì)者往往忽略。假定開(kāi)通驅(qū)動(dòng)時(shí),在上升時(shí)間tr內(nèi)線性地對(duì)MOSFET輸入電容Cin充電,則驅(qū)動(dòng)電流為Igt=CinUgs/tr,其中可取tr=2。2RCin,R為輸入回路電阻。③為可靠關(guān)閉IGBT,防止擎住現(xiàn)象,要給柵極加一負(fù)偏壓,因此比較好采用雙電源供電。IGBT集成式驅(qū)動(dòng)電路IGBT的分立式驅(qū)動(dòng)電路中分立元件多,結(jié)構(gòu)復(fù)雜,保護(hù)功能比較完善的分立電路就更加復(fù)雜,可靠性和性能都比較差,因此實(shí)際應(yīng)用中大多數(shù)采用集成式驅(qū)動(dòng)電路。日本富士公司的EXB系列集成電路、法國(guó)湯姆森公司的UA4002集成電路等應(yīng)用都很***。IPM驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)IPM對(duì)驅(qū)動(dòng)電路輸出電壓的要求很嚴(yán)格,具體為:①驅(qū)動(dòng)電壓范圍為15V±10%?熏電壓低于13.5V將發(fā)生欠壓保護(hù),電壓高于16.5V將可能損壞內(nèi)部部件。②驅(qū)動(dòng)電壓相互隔離。 四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。
由此證明被測(cè)RCT質(zhì)量良好。注意事項(xiàng):(1)S3900MF的VTR<,宜選R×1檔測(cè)量。(2)若再用讀取電流法求出ITR值,還可以繪制反向伏安特性。①一般小功率晶閘管不需加散熱片,但應(yīng)遠(yuǎn)離發(fā)熱元件,如大功率電阻、大功率三極管以及電源變壓器等。對(duì)于大功率晶閘管,必須按手冊(cè)申的要求加裝散熱裝置及冷卻條件,以保證管子工作時(shí)的溫度不超過(guò)結(jié)溫。②晶閘管在使用中發(fā)生超越和短路現(xiàn)象時(shí),會(huì)引發(fā)過(guò)電流將管子燒毀。對(duì)于過(guò)電流,一般可在交流電源中加裝快速保險(xiǎn)絲加以保護(hù)??焖俦kU(xiǎn)絲的熔斷時(shí)間極短,一般保險(xiǎn)絲的額定電流用晶閘管額定平均電流的。③交流電源在接通與斷開(kāi)時(shí),有可能在晶閘管的導(dǎo)通或阻斷對(duì)出現(xiàn)過(guò)壓現(xiàn)象,將管子擊穿。對(duì)于過(guò)電壓,可采用并聯(lián)RC吸收電路的方法。因?yàn)殡娙輧啥说碾妷翰荒芡蛔?,所以只要在晶閘管的陰極及陽(yáng)極間并取RC電路,就可以削弱電源瞬間出現(xiàn)的過(guò)電壓,起到保護(hù)晶閘管的作用。當(dāng)然也可以采用壓敏電阻過(guò)壓保護(hù)元件進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)。晶體閘流管如何保護(hù)晶閘管編輯晶閘管在工業(yè)中的應(yīng)用越來(lái)越***,隨著行業(yè)的應(yīng)用范圍增大。晶閘管的作用也越來(lái)越***。但是有時(shí)候,晶閘管在使用過(guò)程中會(huì)造成一些傷害。為了保證晶閘管的壽命。 模塊包含兩個(gè)IGBT,也就是我們常說(shuō)的半橋模塊。海南國(guó)產(chǎn)IGBT模塊哪家好
晶閘管智能模塊指的是一種特殊的模板,采用了采用全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路。河北質(zhì)量IGBT模塊品牌
匯流箱的溫升自然就小。②光伏**防反二極管模塊具有熱阻?。ū容^大熱阻結(jié)至模塊底板),而普通二極管模塊(比較大熱阻結(jié)至模塊底板達(dá)到)。熱阻越小,模塊底板到芯片的溫差越小,模塊工作更可靠。③光伏**防反二極管模塊具有熱循環(huán)能力強(qiáng)(熱循環(huán)次數(shù)達(dá)到1萬(wàn)次以上),而普通二極管模塊受到內(nèi)部工藝結(jié)構(gòu)的影響(冷熱循環(huán)次數(shù)只有2000次,甚至更低)。熱循環(huán)次數(shù)越多,模塊越穩(wěn)定,使用壽命更長(zhǎng)。光伏**防反二極管模塊應(yīng)用于匯流箱的主要型號(hào)有:兩路**GJM10-16,GJM20-16;兩路匯一路GJMK26-16,GJMK55-16;單路GJMD26-16,GJMD55-16。而對(duì)于不太講究設(shè)備長(zhǎng)期穩(wěn)定性的,可以選擇普通二極管模塊MD26-16,MD40-16,MD55-16,MDK26-16,MDK40-16,MDK55-16。以上二極管模塊類型昆二晶整流器有限公司均有銷售,亦可按客戶需求為其定做;如果在選型時(shí)您還有其他疑慮或技術(shù)交流,歡迎在下方留言,也可以直接瀏覽浙江昆二晶整流器有限公司官網(wǎng),相信您一定會(huì)有所收獲。 河北質(zhì)量IGBT模塊品牌