所以一旦可控硅導(dǎo)通后，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導(dǎo)通狀態(tài)，由于觸發(fā)信號(hào)只起觸發(fā)作用，沒(méi)有關(guān)斷功能，所以這種可控硅是不可關(guān)斷的。由于他只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以晶閘管具有開(kāi)關(guān)特性，這也就是晶閘管的作用。晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路。晶閘管為半控型電力電子器件，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性，即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門極電壓如何，晶閘管保持導(dǎo)通，即晶閘管導(dǎo)通后，門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí)，晶閘管關(guān)斷。4全控型晶閘管的工作條件：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，在門極承受正向電壓。1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化。江西晶閘管模塊賣價(jià)

否則將遭至徹底損壞。當(dāng)晶閘管中流過(guò)大于額定值的電流時(shí)，熱量來(lái)不及散發(fā)，使得結(jié)溫迅速升高，終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過(guò)電流的原因是多種多樣的，例如，變流裝置本身晶閘管損壞，觸發(fā)電路發(fā)生故障，控制系統(tǒng)發(fā)生故障等，以及交流電源電壓過(guò)高、過(guò)低或缺相，負(fù)載過(guò)載或短路，相鄰設(shè)備故障影響等。常用的晶閘管過(guò)電流保護(hù)方法是快速熔斷器。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢，吹它尚未被燒毀晶閘管保險(xiǎn)絲之前;不能用于保護(hù)晶閘管。埋銀保險(xiǎn)石英砂內(nèi)快速熔斷器，熔斷時(shí)間很短，它可以用來(lái)保護(hù)晶閘管。業(yè)績(jī)快速熔斷器主要有以下特征。晶閘管的代換晶閘管損壞后，若無(wú)同型號(hào)的晶閘管更換，可以通過(guò)選用中國(guó)與其工作性能設(shè)計(jì)參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號(hào)晶閘管來(lái)代換。在應(yīng)用電路的設(shè)計(jì)中，通常有很大的余量。更換晶閘管時(shí)，只需注意其額定峰值電壓(重復(fù)峰值電壓)、額定電流(通態(tài)均勻電流)、柵極觸發(fā)電壓和柵極觸發(fā)電流，特別是這兩個(gè)指示器的額定峰值電壓和額定電流。代換晶閘管工作應(yīng)與設(shè)備損壞或者晶閘管的開(kāi)關(guān)發(fā)展速度…致。例如：在脈沖控制電路、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進(jìn)行損壞后，只能我們選用同類型的快速改變晶閘管，而不能用一個(gè)普通晶閘管來(lái)代換。江西晶閘管模塊賣價(jià)晶閘管可分為普通晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管多種。

使正向電流低于維持電流IH，或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷。這就需要增加換向電路，不*使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開(kāi)關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益，βoff，它等于陽(yáng)極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大，說(shuō)明門極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。

晶閘管模塊基本的用途是可控整流。二極管整流電路中用晶閘管代替二極管，就可以形成可控整流電路。在正弦交流電壓U2的正半周內(nèi)，如果vs的控制極不輸入觸發(fā)脈沖UG，vs仍不能接通。只有當(dāng)U2處于正半周時(shí)，當(dāng)觸發(fā)脈沖UG施加到控制極時(shí)，晶閘管才接通?，F(xiàn)在，繪制其波形(圖4(c)和(d))，可以看到只有當(dāng)觸發(fā)脈沖UG到達(dá)時(shí)，負(fù)載RL具有電壓UL輸出(波形上的陰影)。當(dāng)UG到達(dá)較早時(shí)，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較早；UG到達(dá)較晚時(shí)，晶閘管導(dǎo)通時(shí)間較晚。通過(guò)改變觸發(fā)脈沖Ug在控制極上的到達(dá)時(shí)間，可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均UL(陰影部分的面積)。在電工技術(shù)中，交流電的半周常被設(shè)定為180度，稱為電角。因此，在U2的每一個(gè)正半周期中，從零值到觸發(fā)脈沖到達(dá)時(shí)刻的電角稱為控制角α，每個(gè)正半周期中晶閘管導(dǎo)電的電角稱為導(dǎo)通角θ。顯然，α和θ都用來(lái)表示晶閘管在正向電壓半周內(nèi)的通斷范圍。通過(guò)改變控制角度0或?qū)ń莟heta，可通過(guò)改變負(fù)載上的脈沖直流電壓的平均ul來(lái)實(shí)現(xiàn)可控整流器。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻（快速）晶閘管。

適應(yīng)多于六個(gè)晶閘管元件的各種大型可控整流設(shè)備。具有完善故障、報(bào)警檢測(cè)和保護(hù)功能。實(shí)時(shí)檢測(cè)過(guò)流、過(guò)壓、反饋丟失、控制板內(nèi)部故障。設(shè)有開(kāi)機(jī)給定回零、軟啟動(dòng)、截流、截壓、急停保護(hù)。調(diào)試簡(jiǎn)便，數(shù)控板調(diào)試不用示波器和萬(wàn)用表。每一塊控制板均經(jīng)過(guò)了嚴(yán)格的軟件測(cè)試、硬件老化，以確保工作穩(wěn)定可靠。三相晶閘管觸發(fā)板適用電路①三相全控橋式可控整流電路。②帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路。③變壓器原邊交流調(diào)壓，副邊二極管整流電路。④三相零式整流電路。⑤三相半控橋式可控整流電路。⑥三相交流相控調(diào)壓電路⑦三相五柱式雙反星形可控硅整流電路三相晶閘管觸發(fā)板正常使用條件⑴海拔高度不超過(guò)2000M。⑵環(huán)境溫度：-40℃-+50℃。⑶空氣比較大相對(duì)濕度不超過(guò)90%(在相當(dāng)于空氣溫度20±5℃)。⑷運(yùn)行地點(diǎn)無(wú)導(dǎo)電塵埃，沒(méi)有腐蝕金屬和破壞絕緣的氣體或蒸汽。⑸無(wú)劇烈振動(dòng)和沖擊。三相晶閘管觸發(fā)板工作原理本控制板是以工業(yè)級(jí)的單片機(jī)為組成的全數(shù)字控制、數(shù)字觸發(fā)系統(tǒng)。其工作過(guò)程可以控制、被廣泛應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)、逆變及變頻等電子電路中。陜西晶閘管模塊銷售

晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器，曾被簡(jiǎn)稱為可控硅。江西晶閘管模塊賣價(jià)

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用，會(huì)在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過(guò)程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過(guò)程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對(duì)反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對(duì)晶閘管施加正向電壓，晶閘管會(huì)重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中，需對(duì)晶閘管施加足夠長(zhǎng)時(shí)間的反壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對(duì)正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開(kāi)通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國(guó)際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過(guò)額定結(jié)溫時(shí)所允許流過(guò)的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。江西晶閘管模塊賣價(jià)