目前，陶瓷注射成型技術(shù)開始向精密化發(fā)展，研究與開發(fā)的重點由過去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因為其尺寸小、精度高、內(nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)生組織統(tǒng)計，牙齒畸形并發(fā)率約為49%，在美國50-60%的家庭都會進行牙齒正畸，必須配帶牙齒矯形托槽。采用陶瓷注射成型生產(chǎn)的該類產(chǎn)品尺寸精度高且性能良好，在國內(nèi)的市場前景開闊?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。中國?國際先進陶瓷展覽會，聚焦前沿科技產(chǎn)品的領(lǐng)軍平臺。誠邀您2025年3月10日相聚上海，共襄盛會。2024上海國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會

碳化硅外延環(huán)節(jié)呈現(xiàn)美、日兩強局面，美國Wolfspeed和日本昭和電工雙寡頭壟斷，此外還有美國II-VI及Dow Corning、日本ROHM及三菱電機、意法半導(dǎo)體（ST）、德國英飛凌（Infineon）等企業(yè)。國內(nèi)東莞天域、瀚天天成為主要廠商，晶盛機電、北方華創(chuàng)、芯三代、中電48所、普興電子、三安光電、啟迪半導(dǎo)體、深圳納設(shè)智能等亦有布局，努力推進國產(chǎn)替代。預(yù)計2025年全球和國內(nèi)6寸碳化硅外延設(shè)備新增市場空間分別約為130億元和53億元美元?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！五展聯(lián)動；第17屆中國?國際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會（PM CHINA）、2025上海國際線圈、變壓器、電感、電機與磁性材料展覽會（MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會（AM CHINA)和2025上海國際粉體加工與處理展覽會（POWDEX CHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺競技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。 誠邀您蒞臨參觀！2024第十六屆中國國際先進陶瓷技術(shù)產(chǎn)品展覽會中國?國際先進陶瓷展覽會將于2025年3月10-12日在上海隆重舉辦，行業(yè)人士齊聚一堂，共襄盛會！

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競爭力的關(guān)鍵途徑。對于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進一步降低碳化硅芯片單位成本。展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！誠邀您蒞臨參觀！

碳化硅下游應(yīng)用場景眾多，包括新能源車、充電樁、光伏、儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等，而下游的需求放量情況會影響碳化硅的市場規(guī)模體量，比如新能源車的產(chǎn)銷量、充電樁的配套數(shù)量、光伏的裝機量等。雖然碳化硅襯底和器件工藝逐漸成熟，價格有所下降，但碳化硅功率器件價格仍遠高于硅基器件。下游應(yīng)用領(lǐng)域需平衡碳化硅器件高價格與性能優(yōu)勢帶來的綜合成本，短期內(nèi)將限制碳化硅器件在功率器件領(lǐng)域的滲透率，大規(guī)模應(yīng)用仍存挑戰(zhàn)。若下游存在放量不及預(yù)期的情況，將對上游碳化硅企業(yè)研發(fā)、生產(chǎn)造成不利影響?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等一應(yīng)俱全的產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！“中國?國際先進陶瓷展覽會”創(chuàng)新應(yīng)用和解決方案：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！

“第十七屆中國?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕。無壓燒結(jié)在常壓下進行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長時間、等燒結(jié)速率進行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過1000℃）和較長的保溫時間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過高，可能導(dǎo)致晶界的移動速度過快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過加熱裝置加熱到一定溫度后不進行保溫，立即以很快的速度降溫到相對較低的溫度進行長時間的保溫。與常規(guī)燒結(jié)方法相比，兩步燒結(jié)法巧妙地通過控制溫度的變化，在抑制晶界遷移（這將導(dǎo)致晶粒長大）的同時，保持晶界擴散（這是坯體致密化的動力）處于活躍狀態(tài)，來實現(xiàn)晶粒不長大的前提下達到燒結(jié)的目的。3、兩段法燒結(jié)在相對較低的溫度下保溫一段時間，然后再在較高的溫度下保溫，后自然冷卻。用此工藝可以降低燒結(jié)溫度和縮短燒結(jié)時間，此方式可以用于燒結(jié)細(xì)晶鈦酸鋇陶瓷?！爸袊?國際先進陶瓷展覽會”以先進材料為基點：2025年3月10-12日上海世博展覽館。誠邀您蒞臨參觀！3月6-8日中國國際先進陶瓷技術(shù)與裝備展覽會

業(yè)界精英云集中國國際先進陶瓷展，為行業(yè)發(fā)展注入新動能。2025年3月10-12日，我們在上海等您！2024上海國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會

傳統(tǒng)硅器件主要采用高溫擴散摻雜，但鋁、硼和氮在SiC中擴散系數(shù)低，需極高溫度，會惡化器件性能。因此，離子注入工藝成為SiC摻雜的優(yōu)先選擇。為實現(xiàn)離子注入?yún)^(qū)域摻雜濃度均勻，常采用多步離子注入，通過調(diào)節(jié)注入能量和劑量，控zhi摻雜濃度和深度。離子注入設(shè)備是SiC產(chǎn)線難度較高的設(shè)備，全球設(shè)備廠商少、交期長，國產(chǎn)化率低于10%，是我國碳化硅晶圓線建設(shè)的較大瓶頸。國際主流廠商包括美國亞舍立（Axcelis）及應(yīng)用材料（收購?fù)呃锇玻?，日本愛發(fā)科及日清公司，國內(nèi)廠商主要有中國電科48所（爍科中科信），中車思銳（收購IBS）和凱世通也在介入?！暗谑邔弥袊?國際先進陶瓷展覽會”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開幕！展會展覽面積將超過50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個，國內(nèi)外觀眾預(yù)計將達到70,000人次。展會打通供需堵點，整合全產(chǎn)業(yè)鏈資源，集中展示涵蓋原材料、設(shè)備、儀器、制品等產(chǎn)品、服務(wù)和整體解決方案。 誠邀您蒞臨參觀！2024上海國際先進陶瓷與粉末冶金展覽會