為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標(biāo)1024通常可以被建模為薄金屬片。通常，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，期待您的光臨！管道傳感器線圈共同合作

因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。工程傳感器線圈傳感器線圈的各方面的特性；

    步驟730可以針對其準(zhǔn)確性驗證在步驟724中執(zhí)行的仿真。在步驟732中，如果仿真與測量結(jié)果匹配，則算法720進(jìn)行到步驟734，在此線圈設(shè)計已經(jīng)被驗證。在步驟732中，如果仿真結(jié)果與物理測量結(jié)果不匹配，則算法720進(jìn)行到步驟736。在步驟736中，如果所執(zhí)行的算法720為對由算法700所產(chǎn)生的線圈設(shè)計的驗證，則修改算法700的輸入設(shè)計，并返回算法700。在一些實施例中，在步驟736中產(chǎn)生錯誤，指示仿真未正確地運(yùn)行，因此仿真自身需要進(jìn)行調(diào)整以便更好地仿真特定位置定位系統(tǒng)中的所有非理想性。在那種情況下，步驟736也可以是模型校準(zhǔn)算法。因此，在本發(fā)明的一些實施例中，可以通過迭代地提供當(dāng)前線圈設(shè)計的仿真，然后根據(jù)該仿真修改線圈設(shè)計，直到線圈設(shè)計滿足期望的規(guī)范為止，來產(chǎn)生優(yōu)化的線圈設(shè)計。在一些情況下，作為后一步，將物理產(chǎn)生并測試經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計，以確保仿真與物理測量的屬性相匹配。無論目標(biāo)是優(yōu)化還是重新設(shè)計pcb上的舊線圈設(shè)計，或者無論目標(biāo)是沒計還是優(yōu)化pcb上的新線圈設(shè)計，該過程都有助于優(yōu)化線圈設(shè)計。可以根據(jù)算法720驗證pcb上的現(xiàn)有線圈設(shè)計，并根據(jù)算法700進(jìn)行潛在地改進(jìn)該線圈設(shè)計?？梢允褂秒娮釉O(shè)計自動化(eda)或計算機(jī)輔助設(shè)計。

為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設(shè)計800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對應(yīng)。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標(biāo)線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標(biāo)1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標(biāo)1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標(biāo)1024通?？梢员唤楸〗饘倨Ｍǔ?，金屬目標(biāo)1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進(jìn)行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當(dāng)導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標(biāo)1024的細(xì)導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無錫東英電子有限公司為您服務(wù)！歡迎各位新老朋友垂詢！

    與用戶交互，并輸出終的線圈設(shè)計，以產(chǎn)生具有優(yōu)化設(shè)計的印刷電路板。如圖7a所示，算法700以輸入步驟702開始。在步驟702中，輸入線圈設(shè)計以進(jìn)行優(yōu)化。具體地，輸入發(fā)射線圈和接收線圈的坐標(biāo)、布局和特性，包括與連接節(jié)點、通孔有關(guān)的信息、以及關(guān)于這些線圈的其他參數(shù)。另外，輸入金屬目標(biāo)的設(shè)計，包括金屬目標(biāo)與線圈之間的氣隙距離。此外，提供所得到的位置定位系統(tǒng)的準(zhǔn)確性的期望規(guī)范。還輸入系統(tǒng)操作參數(shù)(例如，期望驅(qū)動發(fā)射線圈的頻率和強(qiáng)度)。一旦在步驟702中將數(shù)據(jù)輸入到算法700，算法700就繼續(xù)到步驟704。圖7c示出指示步驟702的線圈設(shè)計參數(shù)的輸入的屏幕快照。在步驟704中，仿真在金屬目標(biāo)位于其掃描中的不同位置處時對輸入發(fā)射線圈的電力的響應(yīng)。具體地，確定響應(yīng)于由發(fā)射線圈所生成的場而由金屬目標(biāo)生成的場。根據(jù)這些場，仿真當(dāng)前線圈設(shè)計的接收線圈的響應(yīng)。根據(jù)接收線圈響應(yīng)，將根據(jù)接收線圈響應(yīng)計算出的金屬目標(biāo)的位置與仿真過程中設(shè)定的金屬目標(biāo)的位置進(jìn)行比較。在步驟706中，將仿真的位置與金屬目標(biāo)的設(shè)定位置進(jìn)行比較。在步驟708中，如果滿足規(guī)范，則算法700進(jìn)行到步驟710，在步驟710處輸出終的優(yōu)化線圈設(shè)計。在步驟708中，如果不滿足規(guī)范。傳感器線圈的品種有哪些要注意？汽車電子傳感器線圈種類

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利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個線圈中的通孔比另一個線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對稱)時，就會出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動時正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對于設(shè)計的對稱中心是對稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中，算法712計算不具有目標(biāo)時的偏差。管道傳感器線圈共同合作

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