此外，金屬目標124和pcb之間的氣隙(ag)與位置確定的準確性之間存在很強的相關(guān)性。此外，在理想情況下，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的拓撲是理想的三角函數(shù)，但是在實際設(shè)計中，這些線圈104不是理想的，并且具有若干個通孔，以允許通過使用pcb的兩面將跡線互相盤繞在pcb上。圖3a示出被定向在pcb(為清楚起見，圖3a中未示出)上的正弦定向線圈112。pcb被定位為使得形成正弦定向線圈112的跡線被定位在pcb的頂側(cè)和底側(cè)。在本公開中，對pcb的頂側(cè)或底側(cè)的引用指示pcb的相對側(cè)，并且關(guān)于pcb的定向沒有其他含義。通常，位置定位系統(tǒng)被定位成使得pcb的頂側(cè)面向金屬目標124的表面。圖3b示出pcb322的頂側(cè)，在頂側(cè)上形成用于形成發(fā)射線圈106、正弦定向接收器線圈112和余弦定向接收器線圈110的頂側(cè)跡線。如圖3a所示，線圈112由pcb322的頂側(cè)上的跡線302和pcb322的底側(cè)上的跡線304形成。跡線302和跡線304通過穿過pcb322而形成的通孔306電接合。如圖3a所示，通孔306、頂側(cè)跡線302和底側(cè)跡線304被布置為允許形成余弦定向線圈112。例如，部分310和部分312允許線圈112交叉以形成環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118，同時在相交處將跡線分離。如進一步示出的。傳感器線圈使用的時候有什么要注意？江西傳感器線圈產(chǎn)品推薦

線圈是由導(dǎo)線一圈靠一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯。線圈的電感用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(μH)，1H=10^3mH=10^6μH。簡介電感線圈是利用電磁感應(yīng)的原理進行工作的器件。當(dāng)有電流流過一根導(dǎo)線時，就會在這根導(dǎo)線的周圍產(chǎn)生一定的電磁場，而這個電磁場的導(dǎo)線本身又會對處在這個電磁場范圍內(nèi)的導(dǎo)線發(fā)生感應(yīng)作用。對產(chǎn)生電磁場的導(dǎo)線本身發(fā)生的作用，叫做“自感“，即導(dǎo)線自己產(chǎn)生的變化電流產(chǎn)生變化磁場，這個磁場又進一步影響了導(dǎo)線中的電流；對處在這個電磁場范圍的其他導(dǎo)線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號通過電感線圈時會遇到很大的阻力，很難通過；而對低頻信號通過它時所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號可以較容易的通過它。電感線圈對直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對于電路中電信號的流動都會呈現(xiàn)一定的阻力，這種阻力我們稱之為“阻抗”。電感線圈對電流信號所呈現(xiàn)的阻抗利用的是線圈的自感。電感線圈有時我們把它簡稱為“電感”或“線圈”，用字母“L”表示。繞制電感線圈時。常開傳感器線圈廠家拿貨價格專業(yè)生產(chǎn)傳感器線圈的廠家；

    算法712計算不具有目標時的偏差，并且在步驟1216中，如果不滿足小偏差標準，則算法從步驟1208重新開始。當(dāng)達到小偏差時，算法進行到步驟1218，評估電壓，如圖10a所示，然后計算理想位置和仿真的位置之間的大誤差。如果在步驟1220中沒有達到低的可能誤差，則算法返回到步驟1206，提供另一種配置。一旦獲得了當(dāng)前輸入的低誤差，算法就在返回步驟1226處結(jié)束。在一些實施例中，在不存在如圖13所示的阱的情況下，實現(xiàn)沒有目標時的偏差的補償。無論如何，由于正弦形1316rx線圈和余弦形1318rx線圈的平衡延伸部1306和平衡延伸部1307，始終保證了設(shè)計對稱性。提供以上詳細描述是為了說明本發(fā)明的具體實施例，而不是旨在進行限制。在本發(fā)明的范圍內(nèi)的許多變化和修改是可能的。本發(fā)明在所附權(quán)利要求中闡述。

    利用在步驟1002中提供的其他參數(shù)來接收發(fā)射線圈的驅(qū)動電壓和操作頻率。一旦確定了來自發(fā)射線圈的電磁場，在步驟1008中就可以確定由于這些場而在金屬目標中生成的渦電流。根據(jù)渦電流，可以仿真由目標生成的磁場。在步驟1010中，確定由于由發(fā)射線圈生成的場和由金屬目標中的感應(yīng)渦電流生成的場的組合而在接收器線圈中生成的電壓。在步驟1011中，針對目標的現(xiàn)行位置再次執(zhí)行電感l(wèi)的計算，以評估l相對于步驟1003的結(jié)果的變化。在步驟1012中，存儲響應(yīng)數(shù)據(jù)以供將來參考。在步驟1014中，算法704進行檢查以查看掃描是否已經(jīng)完成。如果未完成，則算法704進行到步驟1018，在步驟1018處，金屬目標的當(dāng)前位置遞增，然后進行到步驟1004，在步驟1004處開始對該位置的仿真。如果掃描完成，則算法704進行到步驟1016，在步驟1016處，仿真結(jié)束，并且算法返回到圖7a所示的算法700的步驟706。仿真和根據(jù)仿真對線圈的重新配置(在圖7a中，仿真步驟704、比較步驟706、決策步驟708和設(shè)計調(diào)整步驟712)應(yīng)足夠快，以在短時間段內(nèi)測試大量的線圈設(shè)計配置。在通過算法700獲得經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計之前，可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此，存在一些模型簡化，這盡管基本上不影響仿真的準確性。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無錫東英電子有限公司為您服務(wù)！期待您的光臨！

相對于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說明的目的，圖13示出對關(guān)于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設(shè)計可以用雙環(huán)路迭代來定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補償由于目標非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個線圈中的通孔比另一個線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對稱)時，就會出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標移動時正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實現(xiàn)減少電壓失配的目標，通孔的設(shè)計方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對于設(shè)計的對稱中心是對稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中，算法712計算不具有目標時的偏差。傳感器線圈的正常工作影響到整個系統(tǒng)的正常運行；四川防爆傳感器線圈

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    在金屬目標124被放置在0°位置的情況下，正弦定向線圈112的環(huán)路114中的磁場108被金屬目標124中生成的渦電流抵消，使得vc＝0。在正弦定向線圈112的環(huán)路116中，環(huán)路116在金屬目標124下方的一半中的磁場108被金屬目標124中形成的渦電流抵消，但是環(huán)路116不在金屬目標124下方的一半中的磁場108生成電壓。由于環(huán)路116的一半被暴露，因此生成的電壓為vd＝-1/2。此外，在正弦定向線圈112的環(huán)路118中生成電壓，使得ve為1/2。然而，由環(huán)路116生成的電壓被在環(huán)路118中生成的電壓抵消，導(dǎo)致正弦定向環(huán)路112兩端的電壓信號為0；vsin＝vc+vd+ve＝0。在金屬目標124相對于余弦定向線圈110的相同定向下，環(huán)路120被金屬目標124覆蓋，使得va＝0。環(huán)路122被暴露，使得vb＝1。因此，余弦定向線圈110兩端的電壓vcos由va+vb＝1給出。圖2b示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于90°位置。如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此。江西傳感器線圈產(chǎn)品推薦

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