此外，金屬目標(biāo)124和pcb之間的氣隙(ag)與位置確定的準(zhǔn)確性之間存在很強(qiáng)的相關(guān)性。此外，在理想情況下，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的拓?fù)涫抢硐氲娜呛瘮?shù)，但是在實(shí)際設(shè)計(jì)中，這些線圈104不是理想的，并且具有若干個(gè)通孔，以允許通過(guò)使用pcb的兩面將跡線互相盤繞在pcb上。圖3a示出被定向在pcb(為清楚起見，圖3a中未示出)上的正弦定向線圈112。pcb被定位為使得形成正弦定向線圈112的跡線被定位在pcb的頂側(cè)和底側(cè)。在本公開中，對(duì)pcb的頂側(cè)或底側(cè)的引用指示pcb的相對(duì)側(cè)，并且關(guān)于pcb的定向沒(méi)有其他含義。通常，位置定位系統(tǒng)被定位成使得pcb的頂側(cè)面向金屬目標(biāo)124的表面。圖3b示出pcb322的頂側(cè)，在頂側(cè)上形成用于形成發(fā)射線圈106、正弦定向接收器線圈112和余弦定向接收器線圈110的頂側(cè)跡線。如圖3a所示，線圈112由pcb322的頂側(cè)上的跡線302和pcb322的底側(cè)上的跡線304形成。跡線302和跡線304通過(guò)穿過(guò)pcb322而形成的通孔306電接合。如圖3a所示，通孔306、頂側(cè)跡線302和底側(cè)跡線304被布置為允許形成余弦定向線圈112。例如，部分310和部分312允許線圈112交叉以形成環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118，同時(shí)在相交處將跡線分離。如進(jìn)一步示出的。傳感器線圈使用的時(shí)候有什么要注意？江西傳感器線圈產(chǎn)品推薦

線圈是由導(dǎo)線一圈靠一圈地繞在絕緣管上，導(dǎo)線彼此互相絕緣，而絕緣管可以是空心的，也可以包含鐵芯或磁粉芯。線圈的電感用L表示，單位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(μH)，1H=10^3mH=10^6μH。簡(jiǎn)介電感線圈是利用電磁感應(yīng)的原理進(jìn)行工作的器件。當(dāng)有電流流過(guò)一根導(dǎo)線時(shí)，就會(huì)在這根導(dǎo)線的周圍產(chǎn)生一定的電磁場(chǎng)，而這個(gè)電磁場(chǎng)的導(dǎo)線本身又會(huì)對(duì)處在這個(gè)電磁場(chǎng)范圍內(nèi)的導(dǎo)線發(fā)生感應(yīng)作用。對(duì)產(chǎn)生電磁場(chǎng)的導(dǎo)線本身發(fā)生的作用，叫做“自感“，即導(dǎo)線自己產(chǎn)生的變化電流產(chǎn)生變化磁場(chǎng)，這個(gè)磁場(chǎng)又進(jìn)一步影響了導(dǎo)線中的電流；對(duì)處在這個(gè)電磁場(chǎng)范圍的其他導(dǎo)線產(chǎn)生的作用，叫做“互感“。電感線圈的電特性和電容器相反，“通低頻，阻高頻“。高頻信號(hào)通過(guò)電感線圈時(shí)會(huì)遇到很大的阻力，很難通過(guò)；而對(duì)低頻信號(hào)通過(guò)它時(shí)所呈現(xiàn)的阻力則比較小，即低頻信號(hào)可以較容易的通過(guò)它。電感線圈對(duì)直流電的電阻幾乎為零。電阻，電容和電感，他們對(duì)于電路中電信號(hào)的流動(dòng)都會(huì)呈現(xiàn)一定的阻力，這種阻力我們稱之為“阻抗”。電感線圈對(duì)電流信號(hào)所呈現(xiàn)的阻抗利用的是線圈的自感。電感線圈有時(shí)我們把它簡(jiǎn)稱為“電感”或“線圈”，用字母“L”表示。繞制電感線圈時(shí)。常開傳感器線圈廠家拿貨價(jià)格專業(yè)生產(chǎn)傳感器線圈的廠家；

    算法712計(jì)算不具有目標(biāo)時(shí)的偏差，并且在步驟1216中，如果不滿足小偏差標(biāo)準(zhǔn)，則算法從步驟1208重新開始。當(dāng)達(dá)到小偏差時(shí)，算法進(jìn)行到步驟1218，評(píng)估電壓，如圖10a所示，然后計(jì)算理想位置和仿真的位置之間的大誤差。如果在步驟1220中沒(méi)有達(dá)到低的可能誤差，則算法返回到步驟1206，提供另一種配置。一旦獲得了當(dāng)前輸入的低誤差，算法就在返回步驟1226處結(jié)束。在一些實(shí)施例中，在不存在如圖13所示的阱的情況下，實(shí)現(xiàn)沒(méi)有目標(biāo)時(shí)的偏差的補(bǔ)償。無(wú)論如何，由于正弦形1316rx線圈和余弦形1318rx線圈的平衡延伸部1306和平衡延伸部1307，始終保證了設(shè)計(jì)對(duì)稱性。提供以上詳細(xì)描述是為了說(shuō)明本發(fā)明的具體實(shí)施例，而不是旨在進(jìn)行限制。在本發(fā)明的范圍內(nèi)的許多變化和修改是可能的。本發(fā)明在所附權(quán)利要求中闡述。

    利用在步驟1002中提供的其他參數(shù)來(lái)接收發(fā)射線圈的驅(qū)動(dòng)電壓和操作頻率。一旦確定了來(lái)自發(fā)射線圈的電磁場(chǎng)，在步驟1008中就可以確定由于這些場(chǎng)而在金屬目標(biāo)中生成的渦電流。根據(jù)渦電流，可以仿真由目標(biāo)生成的磁場(chǎng)。在步驟1010中，確定由于由發(fā)射線圈生成的場(chǎng)和由金屬目標(biāo)中的感應(yīng)渦電流生成的場(chǎng)的組合而在接收器線圈中生成的電壓。在步驟1011中，針對(duì)目標(biāo)的現(xiàn)行位置再次執(zhí)行電感l(wèi)的計(jì)算，以評(píng)估l相對(duì)于步驟1003的結(jié)果的變化。在步驟1012中，存儲(chǔ)響應(yīng)數(shù)據(jù)以供將來(lái)參考。在步驟1014中，算法704進(jìn)行檢查以查看掃描是否已經(jīng)完成。如果未完成，則算法704進(jìn)行到步驟1018，在步驟1018處，金屬目標(biāo)的當(dāng)前位置遞增，然后進(jìn)行到步驟1004，在步驟1004處開始對(duì)該位置的仿真。如果掃描完成，則算法704進(jìn)行到步驟1016，在步驟1016處，仿真結(jié)束，并且算法返回到圖7a所示的算法700的步驟706。仿真和根據(jù)仿真對(duì)線圈的重新配置(在圖7a中，仿真步驟704、比較步驟706、決策步驟708和設(shè)計(jì)調(diào)整步驟712)應(yīng)足夠快，以在短時(shí)間段內(nèi)測(cè)試大量的線圈設(shè)計(jì)配置。在通過(guò)算法700獲得經(jīng)優(yōu)化的線圈設(shè)計(jì)之前，可以使用數(shù)百甚至數(shù)千次仿真。因此，存在一些模型簡(jiǎn)化，這盡管基本上不影響仿真的準(zhǔn)確性。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無(wú)錫東英電子有限公司為您服務(wù)！期待您的光臨！

相對(duì)于余弦接收線圈定義正弦接收線圈。為了說(shuō)明的目的，圖13示出對(duì)關(guān)于圖12所描述的正弦接收線圈的修改。接收線圈(rx)設(shè)計(jì)可以用雙環(huán)路迭代來(lái)定義。初，在步驟1206中，正弦形狀的rx線圈1316(結(jié)合參考系1314)沿x方向?qū)ΨQ地部分延伸(如跡線1310所示)，以補(bǔ)償由于目標(biāo)非理想性引起的磁通泄漏。利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點(diǎn)上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計(jì)算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號(hào)失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個(gè)線圈中的通孔比另一個(gè)線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對(duì)稱)時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動(dòng)時(shí)正弦信號(hào)相對(duì)于余弦信號(hào)的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實(shí)現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計(jì)方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長(zhǎng)度相同。此外，通孔相對(duì)于設(shè)計(jì)的對(duì)稱中心是對(duì)稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實(shí)施例中，使用一維模型來(lái)定義跡線。在步驟1214中，算法712計(jì)算不具有目標(biāo)時(shí)的偏差。傳感器線圈的正常工作影響到整個(gè)系統(tǒng)的正常運(yùn)行；四川防爆傳感器線圈

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    在金屬目標(biāo)124被放置在0°位置的情況下，正弦定向線圈112的環(huán)路114中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中生成的渦電流抵消，使得vc＝0。在正弦定向線圈112的環(huán)路116中，環(huán)路116在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中形成的渦電流抵消，但是環(huán)路116不在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108生成電壓。由于環(huán)路116的一半被暴露，因此生成的電壓為vd＝-1/2。此外，在正弦定向線圈112的環(huán)路118中生成電壓，使得ve為1/2。然而，由環(huán)路116生成的電壓被在環(huán)路118中生成的電壓抵消，導(dǎo)致正弦定向環(huán)路112兩端的電壓信號(hào)為0；vsin＝vc+vd+ve＝0。在金屬目標(biāo)124相對(duì)于余弦定向線圈110的相同定向下，環(huán)路120被金屬目標(biāo)124覆蓋，使得va＝0。環(huán)路122被暴露，使得vb＝1。因此，余弦定向線圈110兩端的電壓vcos由va+vb＝1給出。圖2b示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于90°位置。如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標(biāo)124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此。江西傳感器線圈產(chǎn)品推薦

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