它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2πfL品質(zhì)因素品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。它是指電感器在某一頻率的交流電壓下工作時(shí)，所呈現(xiàn)的感抗與其等效損耗電阻之比。電感器的Q值越高，其損耗越小，效率越高。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。電感器品質(zhì)因數(shù)的高低與線圈導(dǎo)線的直流電阻、線圈骨架的介質(zhì)損耗及鐵心、屏蔽罩等引起的損耗等有關(guān)。分布電容任何電感線圈，其匝與匝之間、層與層之間，線圈與參考地之間，線圈與磁屏蔽罩間等都存在一定的電容，這些電容稱為電感線圈的分布電容。若將這些分布電容綜合在一起，就成為一個(gè)與電感線圈并聯(lián)的等效電容C。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好。額定電流額定電流是指電感器有正常工作時(shí)反允許通過(guò)的大電流值。若工作電流超過(guò)額定電流，則電感器就會(huì)因發(fā)熱而使性能參數(shù)發(fā)生改變，甚至還會(huì)因過(guò)流而燒毀。允許偏差允許偏差是指電感器上標(biāo)稱的電感量與實(shí)際電感的允許誤差值。一般用于振蕩或?yàn)V波等電路中的電感器要求精度較高。無(wú)錫東英電子有限公司傳感器線圈；陜西傳感器線圈廠家直供

    在金屬目標(biāo)124被放置在0°位置的情況下，正弦定向線圈112的環(huán)路114中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中生成的渦電流抵消，使得vc＝0。在正弦定向線圈112的環(huán)路116中，環(huán)路116在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108被金屬目標(biāo)124中形成的渦電流抵消，但是環(huán)路116不在金屬目標(biāo)124下方的一半中的磁場(chǎng)108生成電壓。由于環(huán)路116的一半被暴露，因此生成的電壓為vd＝-1/2。此外，在正弦定向線圈112的環(huán)路118中生成電壓，使得ve為1/2。然而，由環(huán)路116生成的電壓被在環(huán)路118中生成的電壓抵消，導(dǎo)致正弦定向環(huán)路112兩端的電壓信號(hào)為0；vsin＝vc+vd+ve＝0。在金屬目標(biāo)124相對(duì)于余弦定向線圈110的相同定向下，環(huán)路120被金屬目標(biāo)124覆蓋，使得va＝0。環(huán)路122被暴露，使得vb＝1。因此，余弦定向線圈110兩端的電壓vcos由va+vb＝1給出。圖2b示出金屬目標(biāo)124相對(duì)于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于90°位置。如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標(biāo)124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此。耐磨傳感器線圈報(bào)價(jià)表傳感器線圈推薦，無(wú)錫東英電子有限公司值得信賴，還等什么，快來(lái)call我司吧！

2）線圈在安裝前，要進(jìn)行外觀檢查使用前，應(yīng)檢查線圈的結(jié)構(gòu)是否牢固，線匝是否有松動(dòng)和松脫現(xiàn)象，引線接點(diǎn)有無(wú)松動(dòng)，磁芯旋轉(zhuǎn)是否靈活，有無(wú)滑扣等。這些方面都檢查合格后，再進(jìn)行安裝。（3）線圈在使用過(guò)程需要微調(diào)的，應(yīng)考慮微調(diào)方法有些線圈在使用過(guò)程中，需要進(jìn)行微調(diào)，依靠改變線圈圈數(shù)又很不方便，因此，選用時(shí)應(yīng)考慮到微調(diào)的方法。例如單層線圈可采用移開靠端點(diǎn)的數(shù)困線圈的方法，即預(yù)先在線圈的一端繞上3圈～4圈，在微調(diào)時(shí)，移動(dòng)其位置就可以改變電感量。實(shí)踐證明，這種調(diào)節(jié)方法可以實(shí)現(xiàn)微調(diào)±2%－±3%的電感量。應(yīng)用在短波和超短波回路中的線圈，常留出半圈作為微調(diào)，移開或折轉(zhuǎn)這半圈使電感量發(fā)生變化，實(shí)現(xiàn)微調(diào)。多層分段線圈的微調(diào)，可以移動(dòng)一個(gè)分段的相對(duì)距離來(lái)實(shí)現(xiàn)，可移動(dòng)分段的圈數(shù)應(yīng)為總?cè)?shù)的20%－30%。實(shí)踐證明：這種微調(diào)范圍可達(dá)10%－15%。具有磁芯的線圈，可以通過(guò)調(diào)節(jié)磁芯在線圈管中的位置，實(shí)現(xiàn)線圈電感量的微調(diào)。（4）使用線圈應(yīng)注意保持原線圈的電感量線圈在使用中，不要隨便改變線圈的形狀。大小和線圈間的距離，否則會(huì)影響線圈原來(lái)的電感量。尤其是頻率越高，即圈數(shù)越少的線圈。所以，在電視機(jī)中采用的高頻線圈。

    并且由于這種不均勻性，目標(biāo)和rx線圈之間的間隙允許許多磁通量無(wú)法正確地被目標(biāo)屏蔽。另一個(gè)效果是，pcb底部上的rx線圈部分比pcb的頂部中的對(duì)應(yīng)部分捕獲更少的感應(yīng)磁通量。后，允許與控制器芯片連接的rx線圈的出口也產(chǎn)生可感測(cè)的偏移誤差。在線性和弧形傳感器中，還存在在傳感器的端部產(chǎn)生巨大的雜散場(chǎng)的強(qiáng)烈效應(yīng)。這后的效應(yīng)是線性和弧形設(shè)計(jì)中大多數(shù)誤差的原因。如上所述，線圈設(shè)計(jì)的優(yōu)化始于算法700的步驟704中的良好仿真。在迭代中，對(duì)算法700的步驟702中所輸入的初始線圈設(shè)計(jì)執(zhí)行仿真。根據(jù)一些實(shí)施例，仿真包括在意大利烏迪內(nèi)大學(xué)開發(fā)的渦電流求解算法。具體地，仿真算法的示例使用在以下發(fā)表文章中介紹的邊界積分方法(bim)：，“aboundaryintegralmethodforcomputingeddycurrents1nthinconductorsforarbitrarytopology(任意拓?fù)涞谋?dǎo)體中的渦電流計(jì)算的邊界積分方法)”，ieee磁學(xué)學(xué)報(bào)(transactionsonmagnetics)，第41卷，第3期，7203904，2015年，其提供非常快速的仿真(25個(gè)目標(biāo)位置需要數(shù)十秒)。可以對(duì)此類算法進(jìn)行調(diào)整，以仿真pcb上的跡線和感應(yīng)傳感器應(yīng)用。具體地。江蘇省傳感器線圈找誰(shuí)家？

    位置傳感器在各種設(shè)置中被用于測(cè)量一個(gè)組件相對(duì)于另一個(gè)組件的位置。感應(yīng)式位置傳感器可被用于汽車、工業(yè)和消費(fèi)者應(yīng)用中，以用于旋轉(zhuǎn)和線性運(yùn)動(dòng)感測(cè)。在許多感應(yīng)定位感測(cè)系統(tǒng)中，發(fā)射線圈被用于在一組接收器線圈上方滑動(dòng)或旋轉(zhuǎn)的金屬目標(biāo)中感應(yīng)出渦電流。接收線圈接收由渦電流和發(fā)射線圈生成的磁場(chǎng)，并將信號(hào)提供給處理器。處理器使用來(lái)自接收器線圈的信號(hào)來(lái)確定金屬目標(biāo)在這組線圈上方的位置。處理器、發(fā)射器線圈和接收器線圈都可以被形成在印刷電路板(pcb)上。然而，這些系統(tǒng)由于許多原因而顯示出不準(zhǔn)確性。例如，由發(fā)射器生成的電磁場(chǎng)以及在金屬目標(biāo)中生成的合成場(chǎng)可能是不均勻的，導(dǎo)線跡線與發(fā)射線圈的連接以及接收線圈的布置可能導(dǎo)致進(jìn)一步的不均勻。被安裝在pcb上的線圈和金屬目標(biāo)之間的氣隙(ag)可能是不均勻的。此外，由接收器線圈生成的信號(hào)的幅度可能具有偏差(offset)。多個(gè)接收器線圈之間可能存在失配。金屬目標(biāo)與多個(gè)接收器線圈中的每個(gè)線圈之間可以是不同的耦合效果。這些和其他因素可能導(dǎo)致位置定位系統(tǒng)的不準(zhǔn)確的結(jié)果。因此，需要開發(fā)更好的設(shè)計(jì)傳感器線圈的方法，其為位置感測(cè)提供更好的準(zhǔn)確度。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：在一些實(shí)施例中，提供了一種線圈設(shè)計(jì)系統(tǒng)。傳感器線圈推薦，無(wú)錫東英電子有限公司值得信賴，期待您的光臨！耐磨傳感器線圈報(bào)價(jià)表

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    圖10d示出導(dǎo)線1020的一維模型與基準(zhǔn)矩形跡線1022在距跡線中心1mm的距離處的差異。單個(gè)矩形跡線1022的表示可以通過(guò)單導(dǎo)線配置和多導(dǎo)線配置兩者來(lái)實(shí)現(xiàn)?？梢钥闯觯搱?chǎng)與一維模型略有偏離。從圖10d可以看出，誤差不可忽略，但在兩種情況下，即使在1mm處，誤差也只有很小的分?jǐn)?shù)1％。由于接收線圈的大多數(shù)點(diǎn)相對(duì)于發(fā)射線圈的距離遠(yuǎn)大于1mm，因此1維導(dǎo)線模型在大多數(shù)應(yīng)用中可能就足夠了。也可以用三維塊狀元素來(lái)表示發(fā)射線圈，其中假定電流密度是均勻的。圖10e示出這種近似。如圖10e所示，這以適度的附加計(jì)算為代價(jià)將由發(fā)射線圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)的建模誤差減小了一個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，在步驟1006和步驟1010中，可以將跡線建模為一維跡線。因此，通過(guò)使用1維導(dǎo)線模型可以預(yù)先計(jì)算由發(fā)射線圈產(chǎn)生的源磁場(chǎng)。在一些實(shí)施例中，可以使用基于3d塊狀件元素的更高級(jí)的模型，如上所述，該模型可以產(chǎn)生大致相同的結(jié)果。這些模型可以使用有限元矩陣形式的計(jì)算，然而，此類模型可能需要許多元素，并且需要增加計(jì)算。如上文所討論的，類似于fem的模型可能使用太多的元素(1億多個(gè)網(wǎng)格元素)來(lái)達(dá)到所提出的一維模型的準(zhǔn)確性。陜西傳感器線圈廠家直供

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