為了討論的目的，圖10f示出圖8a和圖8b所示的線圈設(shè)計800的示例，其中線圈1028和線圈1026分別與線圈804和線圈806的跡線的一維近似相對應(yīng)。為了簡化圖示，在圖10f中未示出發(fā)射線圈802，但是發(fā)射線圈802的跡線也通過一維導(dǎo)線跡線近似。在仿真了來自位置定位系統(tǒng)800的目標線圈802的電磁場之后，然后在圖10a所示的算法704的示例的步驟1008中，仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通?？梢员唤楸〗饘倨?。通常，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標1024的細導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。關(guān)于傳感器線圈的定義是什么？江蘇傳感器線圈廠家拿貨價格

如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓撲的金屬目標124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標進行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。微型傳感器線圈價格傳感器線圈哪家好，無錫東英電子有限公司值得信賴，有需求的不要錯過哦！

仿真金屬目標1024的渦電流，并且確定從那些渦電流產(chǎn)生的電磁場。在一些實施例中，金屬目標1024中的感應(yīng)渦電流是通過原始邊界積分公式來計算的。金屬目標1024通?？梢员唤楸〗饘倨?。通常，金屬目標1024很薄，為35μm至70μm，而橫向尺寸通常以毫米進行測量。如上文關(guān)于導(dǎo)線跡線所討論的，當導(dǎo)體具有小于在特定工作頻率下磁場的穿透深度的大約兩倍的厚度時，感應(yīng)電流密度在整個層厚度上基本上是均勻的。因此，可以將金屬目標1024的細導(dǎo)體建模為感應(yīng)渦電流與該表面相切的表面。

    此外，金屬目標124和pcb之間的氣隙(ag)與位置確定的準確性之間存在很強的相關(guān)性。此外，在理想情況下，正弦定向線圈112和余弦定向線圈110的拓撲是理想的三角函數(shù)，但是在實際設(shè)計中，這些線圈104不是理想的，并且具有若干個通孔，以允許通過使用pcb的兩面將跡線互相盤繞在pcb上。圖3a示出被定向在pcb(為清楚起見，圖3a中未示出)上的正弦定向線圈112。pcb被定位為使得形成正弦定向線圈112的跡線被定位在pcb的頂側(cè)和底側(cè)。在本公開中，對pcb的頂側(cè)或底側(cè)的引用指示pcb的相對側(cè)，并且關(guān)于pcb的定向沒有其他含義。通常，位置定位系統(tǒng)被定位成使得pcb的頂側(cè)面向金屬目標124的表面。圖3b示出pcb322的頂側(cè)，在頂側(cè)上形成用于形成發(fā)射線圈106、正弦定向接收器線圈112和余弦定向接收器線圈110的頂側(cè)跡線。如圖3a所示，線圈112由pcb322的頂側(cè)上的跡線302和pcb322的底側(cè)上的跡線304形成。跡線302和跡線304通過穿過pcb322而形成的通孔306電接合。如圖3a所示，通孔306、頂側(cè)跡線302和底側(cè)跡線304被布置為允許形成余弦定向線圈112。例如，部分310和部分312允許線圈112交叉以形成環(huán)路114、環(huán)路116和環(huán)路118，同時在相交處將跡線分離。如進一步示出的。傳感器線圈的各方面的特性；

    與用戶交互，并輸出終的線圈設(shè)計，以產(chǎn)生具有優(yōu)化設(shè)計的印刷電路板。如圖7a所示，算法700以輸入步驟702開始。在步驟702中，輸入線圈設(shè)計以進行優(yōu)化。具體地，輸入發(fā)射線圈和接收線圈的坐標、布局和特性，包括與連接節(jié)點、通孔有關(guān)的信息、以及關(guān)于這些線圈的其他參數(shù)。另外，輸入金屬目標的設(shè)計，包括金屬目標與線圈之間的氣隙距離。此外，提供所得到的位置定位系統(tǒng)的準確性的期望規(guī)范。還輸入系統(tǒng)操作參數(shù)(例如，期望驅(qū)動發(fā)射線圈的頻率和強度)。一旦在步驟702中將數(shù)據(jù)輸入到算法700，算法700就繼續(xù)到步驟704。圖7c示出指示步驟702的線圈設(shè)計參數(shù)的輸入的屏幕快照。在步驟704中，仿真在金屬目標位于其掃描中的不同位置處時對輸入發(fā)射線圈的電力的響應(yīng)。具體地，確定響應(yīng)于由發(fā)射線圈所生成的場而由金屬目標生成的場。根據(jù)這些場，仿真當前線圈設(shè)計的接收線圈的響應(yīng)。根據(jù)接收線圈響應(yīng)，將根據(jù)接收線圈響應(yīng)計算出的金屬目標的位置與仿真過程中設(shè)定的金屬目標的位置進行比較。在步驟706中，將仿真的位置與金屬目標的設(shè)定位置進行比較。在步驟708中，如果滿足規(guī)范，則算法700進行到步驟710，在步驟710處輸出終的優(yōu)化線圈設(shè)計。在步驟708中，如果不滿足規(guī)范。傳感器線圈哪家服務(wù)好，無錫東英電子有限公司為您服務(wù)！有需求的不要錯過哦！工程傳感器線圈用途

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    并且在線圈106內(nèi)沿著指出頁面的方向且在線圈108的外部沿著進入頁面的方向，其中電流方向如圖1a所示。如圖1b所示，接收線圈104位于線圈106內(nèi)部。發(fā)射線圈106可以以可以產(chǎn)生用于在接收器線圈104中感應(yīng)電壓的電磁場108的任何頻率被驅(qū)動。通常，可以存在任意數(shù)量的接收二器線圈，然而，為了便于時論，下文時論具有兩個接收器線圈的系統(tǒng)。圖1b示出發(fā)射線圈(tx)106內(nèi)的傳感器接收線圈(rx)104的布置。如圖1b所示，傳感器接收線圈104包括正弦波定向線圈rxsin112和余弦定向信號線圈rxcos110。正弦波定向線圈rxsin112包括正弦環(huán)路114、正弦環(huán)路116和正弦環(huán)路118，其中，線圈112沿同相或反相方向(此處描繪為順時針或逆時針圖示)纏繞，以由于電磁場108的存在而在環(huán)路中產(chǎn)生相反符號的電壓。如圖所示，正弦波定向線圈112的布線提供環(huán)路114和環(huán)路118的順時針旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生標稱正電壓、以及環(huán)路116的逆時針旋轉(zhuǎn)從而產(chǎn)生標稱負電壓。類似地，余弦定向線圈110可以包括具有順時針定向的環(huán)路120和具有逆時針定向的第二環(huán)路122。圖1b示出由箭頭指示的可能的電動勢參考方向，該方向與由如圖1a所示的發(fā)射器線圈106產(chǎn)生的磁場一致。如本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到的，可以以其他方式解釋所述定向。江蘇傳感器線圈廠家拿貨價格

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