利用所施加的線圈延伸，在步驟1208中，使用作用在線圈1316所有點(diǎn)上的適當(dāng)?shù)奈灰坪瘮?shù)，使正弦形線圈1316沿y方向變形，如跡線1312。給定這些設(shè)置，在步驟1210中，算法計(jì)算通孔的位置。根據(jù)在步驟1202中指定的信息并且為了消除先前提到的信號失配，而建立通孔位置1308。每當(dāng)一個(gè)線圈中的通孔比另一個(gè)線圈中的通孔多或通孔以不平衡方式定位(即，不對稱)時(shí)，就會出現(xiàn)電壓失配。所導(dǎo)致的電壓失配是當(dāng)目標(biāo)移動時(shí)正弦信號相對于余弦信號的較大峰峰值幅度(反之亦然)。為了實(shí)現(xiàn)減少電壓失配的目標(biāo)，通孔的設(shè)計(jì)方式是使sin(1316)rx線圈和cos(1318)rx線圈在pcb底部中的部分的長度相同。此外，通孔相對于設(shè)計(jì)的對稱中心是對稱的。在步驟1212中，定義正弦接收線圈跡線和余弦接收線圈跡線。在一些實(shí)施例中，使用一維模型來定義跡線。在步驟1214中，算法712計(jì)算不具有目標(biāo)時(shí)的偏差。傳感器線圈的正常工作影響到整個(gè)系統(tǒng)的正常運(yùn)行；天津傳感器線圈品牌

如圖2b所示，在正弦定向線圈112中，金屬目標(biāo)124完全覆蓋環(huán)路116，并且使環(huán)路114和環(huán)路118未被覆蓋。結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。常開傳感器線圈價(jià)格無錫市制作傳感器線圈的地方；

允許偏差為±[%]~±[%]；而用于耦合、高頻阻流等線圈的精度要求不高；允許偏差為±10[%]~15[%]。分類在電路中常用的電感線圈的分類大致有這么幾種：按電感形式分類：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。按工作性質(zhì)分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。按繞線結(jié)構(gòu)分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈、密繞式線圈、間繞式線圈、脫胎式線圈、蜂房式線圈、亂繞式線圈。常用線圈1、單層線圈單層線圈是用絕緣導(dǎo)線一圈挨一圈地繞在紙筒或膠木骨架上。如晶體管收音機(jī)中波天線線圈。2、蜂房式線圈如果所繞制的線圈，其平面不與旋轉(zhuǎn)面平行，而是相交成一定的角度，這種線圈稱為蜂房式線圈。而其旋轉(zhuǎn)一周，導(dǎo)線來回彎折的次數(shù)，常稱為折點(diǎn)數(shù)。蜂房式繞法的優(yōu)點(diǎn)是體積小，分布電容小，而且電感量大。蜂房式線圈都是利用蜂房繞線機(jī)來繞制，折點(diǎn)越多，分布電容越小3、鐵氧體磁芯和鐵粉芯線圈線圈的電感量大小與有無磁芯有關(guān)。在空芯線圈中插入鐵氧體磁芯，可增加電感量和提高線圈的品質(zhì)因素。4、銅芯線圈銅芯線圈在超短波范圍應(yīng)用較多，利用旋動銅芯在線圈中的位置來改變電感量，這種調(diào)整比較方便、耐用。

    在圖1b所示的系統(tǒng)中，發(fā)射器線圈(tx)106被電路102(電路102可以是集成電路)激勵，以生成被示出為emf場108的可變電磁場(emf)。磁場108與接收器線圈(rx)104耦合。如圖1b所示，如果將導(dǎo)電金屬目標(biāo)124放置在接收器線圈104的上方，則會在金屬目標(biāo)124中生成渦電流。該渦電流生成新的電磁場，該電磁場理想情況下與場108相等并相反，從而抵消了在金屬目標(biāo)124正下方的接收器線圈104中的場。接收器線圈(rx)104捕獲由發(fā)射線圈106生成的可變emf場108和由金屬目標(biāo)124感應(yīng)的場，得到在接收器線圈104的端子處生成的正弦電壓。在沒有金屬目標(biāo)124的情況下，在rx線圈104(在圖1b中被標(biāo)記為rxcos110和rxsin112)的端子處將沒有電壓。當(dāng)金屬目標(biāo)124相對于rx線圈104被放置在特定位置時(shí)，在被金屬目標(biāo)124覆蓋的區(qū)域上的合成電磁場理想地為零，因此在rx線圈104的端子處的電壓將具有不同的特性，這取決于金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的位置。rx線圈104以以下方式被設(shè)計(jì)：隨著在整個(gè)接收器線圈104上掃描金屬目標(biāo)124，在一個(gè)rx線圈(rxsin112)的端子處產(chǎn)生正弦電壓，在另一個(gè)rx線圈(rxcos110)的端子處產(chǎn)生余弦電壓。目標(biāo)相對于rx線圈104的位置調(diào)制在rx線圈104的端子處的電壓的幅度和相位。專業(yè)生產(chǎn)傳感器線圈的廠家；

結(jié)果，vc＝1/2、vd＝0、以及ve＝1/2，因此vsin＝vc+vd+ve＝1。類似地，在余弦定向線圈110中，環(huán)路120的一半被覆蓋，導(dǎo)致va＝-1/2，并且環(huán)路122的一半被覆蓋，導(dǎo)致vb＝1/2。因此，由va+vb給出的vcos為0。類似地，圖2c示出金屬目標(biāo)124相對于正弦定向線圈112和余弦定向線圈110處于180°位置。因此，正弦定向線圈112中的環(huán)路116和環(huán)路118的一半被金屬目標(biāo)124覆蓋，而余弦定向環(huán)路110中的環(huán)路122被金屬目標(biāo)124覆蓋。因此va＝-1、vb＝0、vc＝1/2、vd＝-1/2、以及ve＝0。結(jié)果，vsin＝0且vcos＝-1。圖2d示出vcos和vsin相對于具有圖2a、圖2b和圖2c中提供的線圈拓?fù)涞慕饘倌繕?biāo)124的角位置的曲線圖。如圖2d所示，可以通過處理vcos和vsin的值來確定角位置。如圖所示，通過從定義的初始位置到定義的結(jié)束位置對目標(biāo)進(jìn)行掃描，將在的輸出中生成圖2d中所示的正弦(vsin)和余弦(vcos)電壓。金屬目標(biāo)124相對于接收線圈104的角位置可以根據(jù)來自正弦定向線圈112的vsin和余弦定向線圈110的vcos的值來確定，如圖2e所示。江蘇制作傳感器線圈的地方；常開傳感器線圈價(jià)格

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    算法712計(jì)算不具有目標(biāo)時(shí)的偏差，并且在步驟1216中，如果不滿足小偏差標(biāo)準(zhǔn)，則算法從步驟1208重新開始。當(dāng)達(dá)到小偏差時(shí)，算法進(jìn)行到步驟1218，評估電壓，如圖10a所示，然后計(jì)算理想位置和仿真的位置之間的大誤差。如果在步驟1220中沒有達(dá)到低的可能誤差，則算法返回到步驟1206，提供另一種配置。一旦獲得了當(dāng)前輸入的低誤差，算法就在返回步驟1226處結(jié)束。在一些實(shí)施例中，在不存在如圖13所示的阱的情況下，實(shí)現(xiàn)沒有目標(biāo)時(shí)的偏差的補(bǔ)償。無論如何，由于正弦形1316rx線圈和余弦形1318rx線圈的平衡延伸部1306和平衡延伸部1307，始終保證了設(shè)計(jì)對稱性。提供以上詳細(xì)描述是為了說明本發(fā)明的具體實(shí)施例，而不是旨在進(jìn)行限制。在本發(fā)明的范圍內(nèi)的許多變化和修改是可能的。本發(fā)明在所附權(quán)利要求中闡述。天津傳感器線圈品牌

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