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杭州高精度應變計線性度

來源: 發(fā)布時間:2024-07-13

應變計敏感柵長度的選擇:應變計在加載狀態(tài)下的輸出應變是敏感柵區(qū)域的平均應變。為了獲得真實的測量值,通常應變計的柵長應不大于測量區(qū)域半徑的1/5~1/10。柵長較長的應變計具有易于粘貼和接線、散熱性好等優(yōu)點,對應變計的性能有一定的改善作用,但應根據(jù)實際測量需要進行選擇,對于應變場變化不大和一般傳感器用途,我們推薦用戶選用柵長3~6mm的應變計。如果對非均勻材料(如混凝土、鑄鐵、鑄鋼等)進行應變測量,應選擇柵長不小于材料的不均勻顆粒尺寸的應變計,以便比較真實地反映結(jié)構(gòu)內(nèi)的平均應變。對于應變梯度大的應變測量,應盡量選用敏感柵長度較小的應變計。振弦式應變計具有抗壓、抗徑向力等特點。杭州高精度應變計線性度

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垂向土應變計技術(shù)特征:1.一種垂向土應變計,其特征在于,應變計包括上支撐座(1)、下支撐座(2)、承重桿(3)和應變計組;所述承重桿(3)兩端與所述上支撐座(1)和下支撐座(2)固定連接,所述承重桿(3)外面的同軸心套有減震裝備(4);所述應變計組外側(cè)套有隔溫裝置,所述應變計組包括垂向電阻應變計(5)和彎矩電阻應變計(6),所述垂向電阻應變計(5)設于所述下支撐座(2)頂端,位于所述承重桿(3)正下方;所述彎矩電阻應變計(6)設于所述承重桿(3)側(cè)壁上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂向土應變計,其特征在于,所述上支撐座(1)和下支撐座(2)均為圓臺型。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的垂向土應變計,其特征在于,所述上支撐座(1)和下支撐座(2)外面的均圓周分布有多個貫穿孔(7)。昆明表面應變計直銷埋入式振弦應變計特點:長期可靠性。

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振弦式鋼板應變計儀器結(jié)構(gòu)及原理,應變計由前后端座、不銹鋼護管、激勵與信號拾取裝置、密封接座、振弦、電纜與其密封頭組成。當結(jié)構(gòu)物受力或因溫度變化發(fā)生線性伸縮變形時,與結(jié)構(gòu)物剛性固連的應變計產(chǎn)生同步變形,通過前、后端座傳遞給振弦使其產(chǎn)生應力變化,從而改變振弦的固有振動頻率。激勵與信號拾取裝置激勵振弦使其發(fā)生諧振,同時拾取其振動頻率信號,此信號經(jīng)電纜傳輸至讀數(shù)裝置,即可測出被測結(jié)構(gòu)物的線性改變量,此改變量與儀器標稱長度的比值即為應變量。應變計附設溫度計可同步測出埋設點的溫度值。

應變計焊接時由于烙鐵漏電或溫度過高、時間過長,引起應變計基底擊穿,造成絕緣強度下降。針對這一問題,在使用烙鐵時必須對其進行檢測,保證其焊接端的絕緣強度,以避免產(chǎn)生擊穿現(xiàn)象或?qū)θ松碓斐蓚Α:附訒r保證溫度不能超過230℃,短時多次焊接,避免基底產(chǎn)生異化擊穿。應變計受潮造成絕緣強度下降。這一現(xiàn)象主要由于應變計應用時防護不好或應用過程中環(huán)境溫度過大造成,這種漂移與a較為類似,所以在應用過程中,必須要將環(huán)境溫度控制在60%以內(nèi)。在應用時必須對應變計進行防護,避免水汽侵入,影響應變計穩(wěn)定。應變計被刺穿,造成絕緣強度下降。這一問題主要是在貼片或組橋過程中形成,如有堅硬物體夾持應變計或構(gòu)件、彈性體表面毛刺、劃痕等刺穿應變計或焊接時烙鐵頭過于尖利刺穿應變計等。埋入式應變計澆鑄在混凝土結(jié)構(gòu)中,也可作為“噴漿混凝土”模型,帶有可調(diào)的張緊環(huán)。

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表面(應變)計適用于長期布設在水工結(jié)構(gòu)物或其它結(jié)構(gòu)物的表面,測量結(jié)構(gòu)物表面的應變量,并可同步測量布設點的溫度。振弦式表面(應變)計彈性模量小,與被測結(jié)構(gòu)物的隨動性好,測量中不會干擾原應力場,并可回收重復使用。振弦式表面應變計由應變計、安裝夾具、信號傳輸電纜等組成。安裝用于長期觀測的表面應變計,應先將配好對的夾具安裝試棒,安裝時兩夾具的底面應在同一平面上,兩夾具緊固螺栓中心孔距應為100mm(儀器標距)。利用裝好試棒的夾具上的4個孔(夾具下附帶的安裝板),在儀器固定位置(觀測點)畫點,在被測結(jié)構(gòu)物畫點的部位打孔,安裝膨脹螺栓,然后將裝有試棒的夾具組固定在被測結(jié)構(gòu)物上,既完成儀器夾具的安裝。絲繞式應變計的疲勞壽命和應變極限較高,可作為動態(tài)測試用傳感器的應變轉(zhuǎn)換元件。佛山表面應變計好不好

為保證應變計粘貼位置的準確,可用無油圓珠筆芯或劃針在貼片部位輕輕劃出定位線。杭州高精度應變計線性度

半導體應變計,將半導體應變計安裝在被測構(gòu)件上,在構(gòu)件承受載荷而產(chǎn)生應變時,其電阻將發(fā)生變化。半導體應變計就是以這種壓阻效應作為理論基礎的,其敏感柵由鍺或硅等半導體材料制成。這種應變計可分為體型和擴散型兩種。前者的敏感柵由單晶硅或鍺等半導體經(jīng)切片和腐蝕等方法制成,后者的敏感柵則是將雜質(zhì)擴散在半導體材料中制成的。半導體應變計的優(yōu)點是靈敏系數(shù)大,機械滯后和蠕變小,頻率響應高;缺點是電阻溫度系數(shù)大,靈敏系數(shù)隨溫度而有名變化,應變和電阻之間的線性關(guān)系范圍小。正確選擇半導體材料和改進生產(chǎn)工藝,這些缺點可望得到克服。半導體應變計多用于測量小的應變(10-1微應變到數(shù)百微應變),已普遍用于應變測量和制造各種類型的傳感器(見電阻應變計式傳感器)。杭州高精度應變計線性度